[发明专利]从通道上除去光致抗蚀剂和蚀刻残留物的方法

权利要求书

1.一种从基材上除去光致抗蚀剂的方法，所述方法使用由包含O₂、NH₃和含氟气体的气体化学物质形成的等离子体。

2.权利要求1所述的方法，其中所述方法伴随所述基材中蚀刻后通道的去遮蔽。

3.权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体是CF₄。

4.权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体以小于5体积％的浓度存在于所述气体化学物质中。

5.权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体以小于3体积％的浓度存在于所述气体化学物质中。

6.权利要求1所述的方法，其中O₂∶NH₃的比率是20∶1-5∶1。

7.权利要求1所述的方法，其中O₂∶CF₄的比率是40∶1-20∶1。

8.权利要求1所述的方法，其中所述气体化学物质仅由O₂、NH₃和CF₄组成。

9.权利要求1所述的方法，其中光致抗蚀剂的除去率比使用O₂等离子体的光致抗蚀剂除去率大至少20％。

10.权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂是硬性烘烤处理的光致抗蚀剂。

11.权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂是UV固化的光致抗蚀剂。

12.权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂具有至少5微米的厚度。

13.权利要求1所述的方法，其中所述基材连接到一个卡盘，所述卡盘被冷却到-5至-30℃的温度范围。

14.权利要求1所述的方法，其中所述方法是MEMS制造工艺的一个步骤。

15.权利要求1所述的方法，其中所述方法是打印头制造工艺的一个步骤。

16.权利要求15所述的方法，其中所述光致抗蚀剂包含在喷墨喷嘴腔和油墨供应通道的至少一个中。

17.权利要求15所述的方法，其中所述光致抗蚀剂是喷墨喷嘴组件的防护涂层和/或各向异性深反应式离子蚀刻(DRIE)工艺的掩膜。

18.一种制造喷墨打印头的方法，所述方法包括以下步骤：

在晶片基材的正面形成喷墨喷嘴腔，每个喷嘴腔具有用光致抗蚀剂塞住的相应的油墨入口；

从所述晶片基材的背面蚀刻油墨供应通道使其与用光致抗蚀剂塞住的油墨入口相通；以及

通过对所述背面进行由包含O₂、NH₃和含氟气体的第一气体化学物质形成的第一等离子体处理，除去至少一些所述光致抗蚀剂，并使所述油墨供应通道去遮蔽。

19.权利要求18所述的方法，还包括以下步骤：

通过对所述正面进行由包含O₂和NH₃的第二气体化学物质形成的第二等离子体处理，除去其它的光致抗蚀剂。

20.权利要求18所述的方法，其中所述第二气体化学物质包含O₂、NH₃和含氟气体。