[发明专利]可编程晶体管阵列设计方法有效
申请号: | 201010001097.X | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN101789036A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 罗明健;吴国雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L25/00;H01L27/092 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 可编程 晶体管 阵列 设计 方法 | ||
1.一种设计集成电路的方法,所述方法包括:
提供彼此相同的第一芯片和第二芯片,其中,所述第一芯片和所述第 二芯片中的每一个都包括基底层,所述基底层包括逻辑晶体管单元阵列, 以及其中,所述逻辑晶体管单元阵列包括彼此相同并且以行和列进行配置 的逻辑晶体管单元;
连接所述第一芯片的所述基底层中的逻辑晶体管单元以形成第一应用 芯片;以及
连接所述第二芯片的所述基底层中的逻辑晶体管单元以形成不同于所 述第一应用芯片的第二应用芯片,
其中,所述第一芯片和所述第二芯片中的每个逻辑晶体管单元都包括 基本晶体管单元的阵列,所述基本晶体管单元选自由NMOS晶体管单元、 PMOS晶体管单元和虚拟晶体管单元组成的组。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述逻辑晶体管单元中的每一 个都包括多路复用器。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述逻辑晶体管单元中的每一 个还包括反相器以及从NAND门和NOR门中选择的门。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,连接所述第一芯片的所述基底 层的步骤包括:使用金属层1以将所述第一芯片的所述逻辑晶体管单元阵 列中的不同逻辑晶体管单元修改为不同的逻辑门组合。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,连接所述第一芯片的所述基底 层的步骤进一步包括:使用金属层2以将所述第一芯片的所述逻辑晶体管 单元阵列中的不同逻辑晶体管单元修改为不同的逻辑功能单元。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述不同的逻辑功能单元是从 由XOR门、XNOR门、加法器、锁存器和触发器组成的组中所选择的。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:将第一外部功能模块附接至 所述第一芯片。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:将第二外部功能模块附接至 所述第二芯片,其中,所述第二外部功能模块与所述第一外部功能模块不 同。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述逻辑晶体管单元中的所有 PMOS晶体管具有相同布局,并且所述逻辑晶体管单元中的所有NMOS晶 体管具有附加的相同布局。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一芯片和所述第二芯 片中的每个逻辑晶体管单元都包括多个基本PMOS晶体管单元和多个基本 NMOS晶体管单元,并且任意所述逻辑晶体管单元中的PMOS晶体管单元 都没有被定位为与NMOS晶体管单元相邻并且所述PMOS晶体管单元的通 道长度方向与所述NMOS晶体管单元的通道长度方向对准。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010001097.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成膜装置及其使用方法
- 下一篇:涂覆显影装置