[发明专利]等离子处理装置

权利要求书

1.一种等离子处理装置，其是立式的，其同时对多张被处 理体实施等离子处理，其中，

该立式等离子处理装置包括：

处理容器，其为纵长形状，具有用于收纳上述被处理体的 处理区域，且能设定为气密状态；

保持器具，其以使上述被处理体相互隔开间隔地沿垂直方 向层叠的状态将该被处理体保持在上述处理容器内；

气体供给系统，其用于向上述处理容器内供给处理气体；

排气系统，其用于对上述处理容器内进行排气；

以及活化机构，其用于使上述处理气体等离子化；

上述活化机构包括：

等离子体生成箱，其为纵长形状，与上述处理区域相对应 地安装在上述处理容器上、且用于封闭与上述处理区域气密地 连通的等离子体产生区域；

ICP电极，其沿上述等离子体生成箱的长度方向配置在上 述等离子体生成箱的外侧，且上述ICP电极具有自上述等离子 体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分；

以及高频电源，其与上述ICP电极相连接。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述ICP电极的一端借助匹配电路接地，另一端借助上述 匹配电路与上述高频电源相连接。

3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述等离子体生成箱具有相互分离开地安装在上述处理容 器上的多个等离子体生成箱单元，上述ICP电极具有与上述多 个等离子体生成箱单元相对应配置的多个电极单元，上述多个 电极单元相互串联连接。

4.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述等离子体生成箱沿上述处理容器的侧壁配置在上述处 理容器的外侧。

5.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述等离子体生成箱沿上述处理容器的侧壁配置在上述处 理容器的内侧。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述ICP电极只沿着上述等离子体生成箱的1个面配置。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述等离子体生成箱被截面呈矩形形状的盖划分，上述盖 由自上述处理容器向放射方向延伸且彼此相对的一对侧壁和将 上述一对侧壁的外端连结起来的背面壁形成。

8.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述等离子体生成箱被截面呈V字形的盖划分，上述盖由 在外端相互连结起来的一对侧壁形成。

9.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述等离子体生成箱被盖划分，该盖由截面形成为曲线状 的侧壁形成。

10.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

利用自上述高频电源供给的高频电力而在上述等离子体生 成箱内形成电磁场，上述ICP电极的上述离开部分与上述等离 子体生成箱内的电磁场强度相对较大的区域相对应。

11.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述规定距离在0.5～20mm的范围内。

12.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述ICP电极整体自上述等离子体生成箱的壁面离开上述 规定距离。

13.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述ICP电极具有沿上述等离子体生成箱的壁面形成多个 折曲部的蜿蜒形状的电极。

14.根据权利要求13所述的等离子处理装置，其中，

上述折曲部包括反向折曲的第1和第2折曲部，上述第1和 第2折曲部交替地被连接而形成蜿蜒形状。

15.根据权利要求13所述的等离子处理装置，其中，

上述折曲部呈圆弧形状。