[发明专利]成膜装置及其使用方法

权利要求书

1.一种成膜装置的使用方法，其用于在反应室内进行在被 处理基板上形成含硅的薄膜的成膜处理，其中，

为了去除由上述成膜处理产生且附着在上述反应室内的含 硅的成膜副生成物，上述使用方法在未收纳上述被处理基板的 上述反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清 洁处理和后清洁处理；

上述主清洁处理被设定成一边对上述反应室内进行排气、 一边将含氟的清洁气体供给到上述反应室内来对上述成膜副生 成物进行蚀刻；

上述后清洁处理被设定成为了去除由上述主清洁处理产生 且残留在上述反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以 下2个工序：

将氧化气体供给到上述反应室内来氧化上述含硅氟化物从 而将其转换成中间生成物的工序；

一边对上述反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到 上述反应室内来使该氟化氢气体与上述中间生成物进行反应而 去除该中间生成物的工序。

2.根据权利要求1所述的成膜装置的使用方法，其中，

从由氧气、臭氧以及水蒸气构成的组中选择上述氧化气体。

3.根据权利要求1所述的成膜装置的使用方法，其中，

在用于供给上述氧化气体的工序中，一边在安装于上述反 应室的等离子体产生部激励上述氧化气体一边供给上述氧化气 体。

4.根据权利要求1所述的成膜装置的使用方法，其中，

在上述主清洁处理以及上述后清洁处理中，将上述反应室 的温度设定为室温～100℃。

5.根据权利要求3所述的成膜装置的使用方法，其中，

上述后清洁处理在整个用于供给上述氧化气体的工序以及 用于供给上述氟化氢气体的工序的过程中持续对上述反应室内 进行排气、且用于供给上述氧化气体的工序时的上述反应室内 的压力低于用于供给上述氟化氢气体的工序时的上述反应室内 的压力。

6.根据权利要求5所述的成膜装置的使用方法，其中，

在用于供给上述氧化气体的工序中，将上述反应室内的压 力设定为0.133Pa～13.3kPa，在用于供给上述氟化氢气体的工 序中，将上述反应室内的压力设定为0.133Pa～101.3kPa。

7.根据权利要求1所述的成膜装置的使用方法，其中，

上述使用方法在上述主清洁处理与上述后清洁处理之间还 具有吹扫工序，该吹扫工序一边对上述反应室内进行排气、一 边只将惰性气体供给到上述反应室内来对上述反应室内进行吹 扫。

8.根据权利要求1所述的成膜装置的使用方法，其中，

上述使用方法在上述主清洁处理之前还进行上述成膜处 理，在此将硅源气体和成膜用反应气体供给到上述反应室内从 而利用CVD在收纳于上述反应室内的上述被处理基板上形成 上述薄膜。

9.根据权利要求8所述的成膜装置的使用方法，其中，

上述成膜处理通过供给上述硅源气体和上述成膜用反应气 体从而利用MLD法形成上述薄膜。

10.根据权利要求8所述的成膜装置的使用方法，其中，

在上述成膜处理中，一边在安装于上述反应室的等离子体 产生部激励上述成膜用反应气体一边供给上述成膜用反应气 体。

11.根据权利要求8所述的成膜装置的使用方法，其中，

上述成膜处理通过供给氧化气体作为上述成膜用反应气体 而形成氧化硅膜作为上述薄膜。

12.根据权利要求11所述的成膜装置的使用方法，其中，

上述硅源气体是二异丙基氨基硅烷气体，从由氧气、臭氧 以及水蒸气构成的组中选择上述成膜用反应气体。

13.根据权利要求1所述的成膜装置的使用方法，其中，

在上述反应室内以上下设有间隔地层叠多个被处理基板的 状态收纳这些被处理基板。