[发明专利]一种自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置无效
申请号: | 201010122473.0 | 申请日: | 2010-03-11 |
公开(公告)号: | CN101893489A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 杨斌;皋魏;席刚;仝芳轩;周正仙 | 申请(专利权)人: | 上海华魏光纤传感技术有限公司 |
主分类号: | G01K11/32 | 分类号: | G01K11/32 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟;冯珺 |
地址: | 201711 上海市青浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 补偿 结构 波长 光纤 温度 传感 装置 | ||
1.一种自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于,包括:
双波长光源、用于提供波长在800-900nm之间的第一光源,及波长大于1200nm的第二光源;
光纤探头、其包括反射系数随温度变化而变化的半导体材料;
光纤耦合器、连接所述双波长光源及所述光纤探头,用于将所述双波长光源提供的第一光源及第二光源传输至所述光纤探头,并将由所述半导体材料反射回来的反射光输出;
波分复用器、连接所述光纤耦合器,将所述反射光分成第一光源的反射光、及第二光源的反射光两路,分别输出;
光电处理器、连接所述波分复用器,将输入的第一光源的反射光、及第二光源的反射光分别进行光电转换、放大、滤波、模数转换的处理,得到第一电信号、及第二电信号后,将上述两者相除,得到最终需要的电信号,并根据该信号进行数据处理,得到温度信息。
2.如权利要求1所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述半导体材料为单晶硅。
3.如权利要求2所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述单晶硅构成单面抛光的晶片。
4.如权利要求1所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述双波长光源的输出端连接所述光纤耦合器的输入端,所述光纤耦合器的COM端连接所述光纤探头,所述光纤耦合器的输出端连接所述波分复用器的输入端。
5.如权利要求4所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述双波长光源、所述光纤耦合器、所述光纤探头、所述波分复用器、及所述光电处理器之间均通过传感光纤连接。
6.如权利要求1所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述最终需要的电信号由第一电信号除以第二电信号得到。
7.如权利要求1所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述光电处理器包括光探测器、放大器、滤波器、模数转换器及数据处理器。
8.如权利要求1所述的自带光补偿结构的双波长型光纤温度传感装置,其特征在于:所述第一光源的波长为850nm,所述第二光源的波长为1310nm。
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