[发明专利]一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法

权利要求书

1.一种非晶碲镉汞红外探测器离子束表面清洗方法，其特征在于包括以下具体步骤：

(1)在真空腔体内，把探测器芯片固定在样品台上，将样品台倾角调整为4.5°，样品台温度设置为10℃，然后对真空腔体抽真空，使真空度达到6×10^-4Pa；

(2)向真空腔体内通入工作气体，并将气体流量设定为4.0sccm～5.0sccm之间，工作压力设定为1.5×10^-2Pa～2.0×10^-2Pa；

(3)设置离子源参数：离子束能量为150eV～200eV，离子束流为40mA～60mA，中和电流为50mA～80mA；

(4)升起离子源与样品台间的挡板，对探测器芯片的非晶碲镉汞表面进行刻蚀清洗，清洗时间为30s～60s。

2.根据权利要求1所述的离子束表面清洗方法，其特征在于工作气体为惰性气体。

3.根据权利要求1或2所述的离子束表面清洗方法，其特征在于用于以非晶薄膜材料为红外探测器光敏元材料的清洗。