[发明专利]一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法有效
| 申请号： | 201010145087.3 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101812725A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王兵;李志聪;王国宏;闫发旺;姚然;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 中的 相变 成核 生长 方法 | ||
1.一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：
步骤1：选择一衬底；
步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层，该氮化镓成核层包括：一次氮化镓成核层及依次生长的相转变层和相复原层；
步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。
2.根据权利要求1所述的氮化镓外延中的相变成核的生长方法，其中所述的衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、硅或砷化镓。
3.根据权利要求1所述的氮化镓外延中的相变成核的生长方法，其中一次氮化镓成核层的生长温度为500-800℃，生长压力为400-600torr，生长厚度为0.01-0.06μm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓外延中的相变成核的生长方法，其中相转变层的生长温度为600-900℃之间，生长压力为100-400torr，生长厚度为0.05-0.2μm。
5.根据权利要求1所述的氮化镓外延中的相变成核的生长方法，其中相复原层的生长温度为800-1000℃之间，生长压力为100-300torr，生长厚度为0.05-0.5μm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓外延中的相变成核的生长方法，其中非有意掺杂氮化镓层的生长温度为1000-1100℃，压力为200-400torr，生长厚度为1-5μm。
7.根据权利要求1所述的氮化镓外延中的相变成核的生长方法，其中相转变层及相复原层为立方相或六角相。
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