[发明专利]双断口真空灭弧室

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空灭弧室，尤指一种双断口真空灭弧室。

背景技术

常用的真空灭弧室多为单断口，真空灭弧室的绝缘性与断口间隙的关系为：Vb＝a*dm，其中d为间隙，a和m为常数，m＜1，这就是说真空灭弧室的绝缘性能不是随着真空间隙长度增加而线性增长，存在饱和效应，而利用多个真空间隙串联形成的多间隙效应(Multi-gap Effect)可以提高整体工作电压。设一个长间隙被分成n部分，每个间隙的长度为dn，则间隙总长度d＝n×dn。对于多间隙系统，每个间隙上能过承受的最大电压可能不相等，总的击穿电压将由承受最大电场Emax的间隙决定，只要某一时刻n个断口没有同时发生击穿，真空间隙就会有可靠的耐压性能。利用多间隙效应可改善真空灭弧室内部的整体电场分布。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双断口真空灭弧室，其可以提高真空灭弧室内的静态击穿电压。

为了实现上述目的，本发明的技术解决方案为：一种双断口真空灭弧室，包括绝缘外壳、设置在绝缘外壳内的静组件和动组件，其中所述绝缘外壳内腔上部的凸棱上设置有中间隔离屏蔽罩，所述中间隔离屏蔽罩位于静组件与动组件之间，所述中间隔离屏蔽罩为圆环。

本发明双断口真空灭弧室，其中所述中间隔离屏蔽罩设置于所述凸棱上部，且所述中间隔离屏蔽罩与所述凸棱之间设有截面为弧形的上小下大的桶形支撑。

采用上述方案后，本发明双断口真空灭弧室通过在绝缘外壳内腔上部凸棱上设置圆环形的中间隔离屏蔽罩，真空灭弧室内腔由单断口变为双断口，其真空间隙由一个变为两个，设置双断口可以把最大场强由触头间隙转移到中间隔离屏蔽罩与静端隔离屏蔽罩或接地隔离屏蔽罩之间的间隙上，改善了主隔离间隙的电场应力，提高真空灭弧室的静态击穿电压。

附图说明

图1是本发明双断口真空灭弧室的结构示意图。

下面结合附图，通过实施例对本发明做进一步的说明；

具体实施方式

请参阅图1所示本发明双断口真空灭弧室的结构示意图，包括绝缘外壳1、设置在绝缘外壳1内的静组件2和动组件3，绝缘外壳1内腔上部的凸棱11上部设有截面为弧形的上小下大的桶形支撑5，在桶形支撑5上设有圆环形的中间隔离屏蔽罩4，中间隔离屏蔽罩4位于静组件2下方及动组件3上方。

本发明双断口真空灭弧室通过在绝缘外壳1内腔上部凸棱11上设置圆环形的中间隔离屏蔽罩4，使得真空灭弧室内腔由单断口变为双断口，其真空间隙由一个变为两个，设置双断口可以把最大场强由触头间隙转移到中间隔离屏蔽罩与静端隔离屏蔽罩或接地隔离屏蔽罩之间的间隙上，改善了主隔离间隙的电场应力，提高真空灭弧室的静态击穿电压。

以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。