[发明专利]一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201010163405.9 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101824638A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 沉积 铜锌锡硒 半导体 薄膜 材料 方法 | ||
1.一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法，其特征在于：在溶质组成为 0.002mol/L CuCl2，0.06mol/LZnCl2，0.03mol/LSnCl2，0.004mol/L H2SeO3，0.5mol/L LiCl， 0.1mol/L酒石酸钠的500mL水溶液中，用稀HCl将溶液pH调整至1.5～2.5；采用单槽电 解槽，以ITO玻璃或Ti箔为工作电极，大面积石墨片为对电极，饱和甘汞电极为参比电 极；采用如下电沉积参数阴极沉积电位-0.4～-0.55Vvs.SCE，沉积时间为30～90分钟，电 沉积溶液温度为20～50℃，在阴极基底上沉积1～3微米厚的含铜、锌、锡和硒的预制层 CuZnaSnbSec，0<a≤2，0<b≤1，0<c≤4；将沉积的预制层置于含有硒源的氩气或氮气中， 在450～550℃温度下热处理60～90分钟，最终生成铜锌锡硒薄膜，其厚度为2.0μm，导 电类型为p型，光吸收系数超过104cm-1，带隙宽度为1.45eV。
2.一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法，其特征在于：在溶质组成为 0.002mol/L CuCl2，0.06mol/LZnCl2，0.03mol/LSnCl2，0.004mol/L H2SeO3，0.5mol/L LiCl， 0.1mol/L氰化钾或氨三乙酸的500mL水溶液中，用稀HCl将溶液pH调整至1.5～2.5；采 用单槽电解槽，以ITO玻璃或Ti箔为工作电极，大面积石墨片为对电极，饱和甘汞电极 为参比电极；采用如下电沉积参数阴极沉积电位-0.4～-0.55Vvs.SCE，沉积时间为30～90 分钟，电沉积溶液温度为20～50℃，在阴极基底上沉积1～3微米厚的含铜、锌、锡和硒 的预制层CuZnaSnbSec，0<a≤2，0<b≤1，0<c≤4；将沉积的预制层置于含有硒源的氩气或 氮气中，在450～550℃温度下热处理60～90分钟，最终生成铜锌锡硒半导体薄膜材料。
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