[发明专利]一种新型结构的薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 201010194951.9 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101882637A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;袁宁一;王秀琴;丁古巧 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0256;H01L31/0232;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 薄膜 太阳电池 | ||
1.一种新型结构的薄膜太阳电池，包括衬底、本征吸收层，其特征在于：本征吸收层由多个不同带隙的薄膜材料组成，同时在相邻两个不同带隙的薄膜之间设有增反层。
2.权利要求1所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：增反层指具有高透过率，低电阻的氧化物半导体薄膜。
3.权利要求2所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：增反层的厚度d0满足公式2nd0+λ/2＝λ，λ指光波波长。
4.权利要求1或2所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：增反层为Al0.2Zn0.8O。
5.权利要求1所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：当选用不透明衬底时，本征吸收层的光学带隙从下至上是从小到大改变。
6.权利要求5所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：不透明衬底为柔性金属或聚酰亚胺膜衬底。
7.权利要求1所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：当选用玻璃衬底时，本征吸收层的带隙从下至上是从大到小改变。
8.权利要求5所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：本征吸收层由三层不同带隙的薄膜材料组成时，薄膜太阳电池从底层至上层依次为：不透明衬底、底电极、N层、本征吸收层、增反层、本征吸收层、增反层、本征吸收层、P层、透明上电极。
9.权利要求7所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：本征吸收层由三层不同带隙的薄膜材料组成时，薄膜太阳电池从底层至上层依次为：玻璃衬底、透明上电极、P层、本征吸收层、增反层、本征吸收层、增反层、本征吸收层、N层、底电极。
10.权利要求8所述的一种新型结构的薄膜太阳电池，其特征在于：薄膜太阳电池从底层至上层依次为：不锈钢透明衬底；Al/Al0.2Zn0.8O复合底电极；N型氢化纳米硅层，带隙为1.2eV，厚度为50nm；带隙为1.2eV的本征氢化纳米硅吸收层，厚度为300nm；40～45nm厚的Al0.2Zn0.8O薄膜增反层；带隙为1.6eV的本征氢化纳米硅吸收层，厚度为200nm；厚度为30nm～35nm的Al0.2Zn0.8O薄膜增反层；带隙为1.8eV本征氢化非晶硅吸收层，厚度为200nm；带隙为1.9eV的P型氢化非晶硅窗口层，厚度为40nm；透明上电极Al0.2Zn0.8O薄膜，厚度为60nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
