[发明专利]电子元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010213528.9 申请日: 2010-06-17
公开(公告)号: CN101950658A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 坂野好子;中辻阳一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01F37/00 分类号: H01F37/00;H01F27/32
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 曾旻辉
地址: 日本京都府长冈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子元件,具备:具有第一导磁率的多层第一绝缘体层和具有比第一导磁率低的第二导磁率的多层第二绝缘体层层叠起来构成的叠层体、在所述叠层体内由多个通路孔导体连接多个线圈导体而构成的螺旋状的线圈即从叠层方向俯视时与所述第二绝缘体层重合的线圈;其中,全部所述第二绝缘体层设置在叠层方向上设有所述线圈的区域内,并且从叠层方向俯视时具有相同的形状,且不与所述通路孔导体重合。

2.根据权利要求1所述的电子元件,其特征在于从叠层方向俯视时,所述第二绝缘体层被设置在所述叠层体的一部分内。

3.根据权利要求1或2所述的电子元件,其特征在于从叠层方向俯视时,所述线圈形成环状轨道;从叠层方向俯视时,所述第二绝缘体层与所述轨道重合并被设置在该轨道的外侧。

4.根据权利要求1或2所述的电子元件,其特征在于从叠层方向俯视时,所述线圈形成环状轨道;从叠层方向俯视时,所述第二绝缘体层与所述轨道重合并被设置在该轨道的内侧。

5.根据权利要求1或2所述的电子元件,其特征在于从叠层方向俯视时,所述线圈形成环状轨道;所述第二绝缘体层仅设置在与所述轨道重合的区域。

6.一种电子元件的制造方法,包含如下工序:形成设置通路孔且具有第一导磁率的多层第一绝缘体层;在所述多层第一绝缘体层的其中一部分上形成形状完全相同而从层叠方向俯视时不与所述多个通路孔重合的多层第二绝缘体层,该第二绝缘体层具有比第一导磁率低的第二导磁率;在所述通路孔中填充导电性材料形成通路孔导体;在所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层上形成线圈导体;把所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层层叠起来,得到内藏有由所述线圈导体和所述通路孔导体构成的螺旋状的线圈的叠层体;其中,在得到所述叠层体的工序中,把所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层层叠起来时,使所述第二绝缘体层在叠层方向上位于设置有所述线圈的区域内。

7.根据权利要求6记载的电子元件的制造方法,其特征在于在形成所述第二绝缘体层的工序中,在所述第一绝缘体层上涂覆浆液来制作所述第二绝缘体层。

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