[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，

在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。

2.一种半导体装置，其特征在于，

包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，

在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有结合能高于SiC固有的结合能的高能量层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层包括：杂质浓度相对高的半导体基板、和在所述半导体基板的表面形成的杂质浓度相对低的外延层，

所述高碳浓度层形成在所述半导体基板的背面侧的表层部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的杂质浓度为1×10¹⁷cm^-3以上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的杂质浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10²¹cm^-3。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属层具有从所述半导体层一侧依次层叠了Ti、Ni及Ag而成的Ti/Ni/Ag层叠构造。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属层具有对Ti/Ni/Ag层叠构造进一步层叠了Au而成的Ti/Ni/Ag/Au层叠构造。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层具有包括在所述一侧形成的漏极、和在所述漏极的相反侧的所述另一侧形成的栅极及源极的纵型晶体管构造，

所述金属层是与所述漏极接合的漏电极。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

通过热处理，在由SiC构成的半导体层的一个面侧的表层部分，形成碳浓度比另一面侧的表层部分高的高碳浓度层的工序；和

将金属与所述高碳浓度层直接接合的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述高碳浓度层的工序中的热处理温度为1400℃以上。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述高碳浓度层的工序包括：在惰性气体中对所述半导体层进行热处理的工序；通过在该热处理工序后使所述半导体层氧化而在所述半导体层的一个面形成氧化膜的工序；和除去所述氧化膜的工序。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述高碳浓度层的工序包括：通过在氧化气体中以1400℃以下对所述半导体层进行热处理，在所述半导体层的一个面形成氧化膜的工序；和除去所述氧化膜的工序。