[发明专利]一种SON结构MOSFET的制备方法有效
| 申请号： | 201010234200.5 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102339754A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;陈静;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 son 结构 mosfet 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、形成有源区；
步骤二、在有源区上形成缓冲层；
步骤三、利用栅区光刻版，采用与栅区光刻工艺所用光刻胶极性相反的光刻胶进行光刻，使有源区上用于形成栅区的位置露出，然后进行氢氦离子注入，去除光刻胶后经退火在用于形成栅区的位置下面的有源区内形成空洞层；
步骤四、去除缓冲层；
步骤五、在所述空洞层两端形成源区及漏区，在空洞层上形成沟道，并利用所述栅区光刻版采用栅区光刻工艺制作栅区，完成MOSFET器件结构。
2.根据权利要求1所述一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于：步骤一通过浅沟槽隔离技术在体硅衬底上形成有源区。
3.根据权利要求1所述一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于：步骤二通过热生长或低压化学气相沉积形成缓冲层。
4.根据权利要求3所述一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于：所形成的缓冲层为SiO2，其厚度在以上。
5.根据权利要求1所述一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于：步骤三中退火的条件为：在1800-2200℃的氮气环境中进行退火。
6.根据权利要求1所述一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于：步骤四采用湿法刻蚀去除缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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