[发明专利]一种利用MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法无效
| 申请号： | 201010247426.9 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101944569A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黄如;张丽杰;潘岳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 mim 电容 结构 制备 挥发性 存储器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用MIM电容结构制备阻变存储器的方法，其特征在于，首先用标准CMOS工艺制备MIM电容结构，然后对MIM电容的介质层进行掺杂形成阻变材料层，从而得到MIM结构型的阻变存储器。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MIM电容的介质层为高k材料。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述MIM电容介质层为SiN时，对MIM电容介质层注入Si、0或者其它杂质，形成非化学计量比的阻变材料层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述MIM电容介质是含有金属氧化物的高k材料时，对MIM电容介质层注入金属离子、O或者其它杂质，形成非化学计量比的阻变材料层。
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