[发明专利]基于霍尔效应的MOS晶体管有效
| 申请号： | 201010259644.4 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102376872A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 霍尔 效应 mos 晶体管 | ||
1.一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶体管的沟道电流方向。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为N型MOS晶体管，所述铁磁区的磁化方向由沟道电流方向沿半导体衬底平面顺时针旋转90度；所述MOS晶体管为P型MOS晶体管，所述铁磁区的磁化方向由沟道电流方向沿半导体衬底平面逆时针旋转90度。
3.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区位于所述MOS晶体管沿导电沟道方向的两侧。
4.如权利要求3所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区由对称分布于所述导电沟道外的铁磁条或铁磁区阵列构成。
5.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区沿导电沟道方向的长度超过导电沟道的长度。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区呈薄膜状。
7.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区包含有铁、钴、镍或钆元素。
8.如权利要求7所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区包括软磁体或永磁体。
9.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述铁磁区位于半导体衬底的背面。
10.如权利要求1或4所述的MOS晶体管，其特征在于，所述半导体衬底中还包含有场隔离结构，所述铁磁区位于所述场隔离结构中。
11.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有互连结构，所述铁磁区位于所述互连结构的金属层中。
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