[发明专利]无模板电化学沉积制备Te纳米棒阵列的方法有效
| 申请号： | 201010275357.2 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101928971A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 佘广为;师文生;李述汤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C30B30/02;C30B29/16;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 电化学 沉积 制备 te 纳米 阵列 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无模板电化学沉积制备Te纳米棒阵列的方法，其特征是，该方法包括以下步骤：
1)电解质溶液的配制：室温下将Te的化合物、氨水和去离子水混合，搅拌使Te的化合物充分溶解，得到电解质溶液，将电解质溶液倒入电解池中；
2)恒电位电化学沉积：电沉积过程在有工作电极、对电极和参比电极的标准三电极体系中进行，用水浴维持步骤1)电解质溶液的温度为23～85℃，给电解池中的工作电极施加相对于参比电极为-0.6～-1.2V的电位进行反应，在工作电极上得到Te纳米棒阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的无模板电化学沉积得到的Te纳米棒为三角结构单晶，沿[001]晶向生长。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的电解质溶液中Te的化合物的浓度为2.5～20mM。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征是：所述的Te的化合物为TeO2、Na2TeO3或K2TeO3。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的电解质溶液中氨水的浓度为0.536～2M。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤2)所述的反应时间是5～50分钟。
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