[发明专利]一种集成电路及制造一集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包含：

一内连结构，至少部分位于一基板上的一介电层的至少一开口中；

至少一空气隙，位于该介电层与该内连结构间；

至少一第一衬垫材料，位于该至少一空气隙下方；和

至少一第二衬垫材料，环绕该内连结构，其中该至少一第一衬垫材料位于该介电层与该至少一第二衬垫材料之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该内连结构包含一金属线和一通孔区域，且该至少一第一衬垫材料是环绕该通孔区域。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，还包含：

一受损层，位于该介电层与该至少一第一衬垫材料之间，其中该受损层是通过氧气灰化该介电层侧壁而形成的。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该至少一第一衬垫材料相对于该至少一第二衬垫材料的一第一蚀刻选择性为10∶1或更高，且该至少一第一衬垫材料相对于该介电层的一第二蚀刻选择性为10∶1或更高。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，每一该至少一第一和第二衬垫材料是由至少一种选自下列的材料所形成：氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧碳化硅、氮化硅碳、氧氮硅碳和碳化硅；且该至少一第一衬垫材料和该至少一第二衬垫材料并不相同。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包含：

至少一第三衬垫材料，其中该至少一空气隙是位于该至少一第三衬垫材料与该至少一第二衬垫材料之间。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该至少一空气隙的宽度约为该内连结构的阶宽度的1/15至1/4之间。

8.一种制造一集成电路的方法，其特征在于，包含：

在一基板上的一介电层的至少一开口中形成一内连结构；和

在该介电层与该内连结构间形成至少一空气隙，其中该至少一空气隙是形成在至少一第一衬垫材料上方，且至少一第二衬垫材料是环绕该内连结构而形成，且该至少一第一衬垫材料是形成在该介电层与该至少一第二衬垫材料之间。

9.根据权利要求8所述的制造一集成电路的方法，其特征在于，该形成至少一空气隙的步骤包含：

环绕该内连结构而形成该至少一第二衬垫材料；

形成至少一衬垫层在该介电层与该至少一第二衬垫材料之间；和

移除一部分的该至少一衬垫层，以形成该至少一空气隙在该至少一第一衬垫材料上方。

10.根据权利要求8所述的制造一集成电路的方法，其特征在于，该形成内连结构的步骤包含：

形成一金属线和一通孔区域在至少一开口中，其中该第二衬垫材料是实质环绕该通孔区域。

11.根据权利要求8所述的制造一集成电路的方法，其特征在于，还包含：

形成一受损层在该介电层与第二衬垫材料之间，其中该受损层是通过氧气灰化该介电层侧壁而形成的。

12.根据权利要求8所述的制造一集成电路的方法，其特征在于，还包含：

形成一第三衬垫材料，其中该至少一空气隙是位于该第三衬垫材料与该第一衬垫材料之间。