[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基底，具有第一表面和背对第一表面的第二表面；

插塞，穿过基底，所述插塞包括通过第一表面暴露的第一连接部分和通过第二表面暴露的第二连接部分；

第一绝缘层，形成在第二表面上；

第二绝缘层，形成在基底中的插塞的外表面和第二连接部分上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在第一连接部分上的连接构件。

3.如权利要求2所述的半导体构件，所述半导体器件是第一半导体芯片，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上并通过所述连接构件电连接到第一半导体芯片。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

准备具有第一表面和背对第一表面的第二表面的基底；

在第二表面上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成牺牲层；

形成穿过基底并从第一表面延伸到牺牲层的一部分中的开口；

在开口的内壁上形成第二绝缘层；

形成填充开口的插塞；

去除牺牲层以通过第二表面暴露插塞的下部。

5.如权利要求4所述的方法，还包括在形成第一绝缘层之前，部分地去除基底的第二表面。

6.如权利要求4所述的方法，其中，使用具有与第一绝缘层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的绝缘材料形成牺牲层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，牺牲层包括聚合物。

8.如权利要求4所述的方法，其中，使用具有与牺牲层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的绝缘材料形成第二绝缘层。

9.如权利要求4所述的方法，其中，通过电镀工艺形成插塞。

10.如权利要求4所述的方法，其中，所述去除牺牲层的步骤包括：

部分地去除牺牲层以暴露插塞的下表面上的第二绝缘层；

去除被暴露的第二绝缘层以暴露插塞的下表面；

彻底去除牺牲层。

11.如权利要求10所述的方法，其中，通过蚀刻工艺部分地和彻底地去除牺牲层，以暴露插塞的下部上的第二绝缘层。

12.如权利要求4所述的方法，其中，去除牺牲层的步骤包括：

通过第一工艺部分地去除牺牲层以暴露插塞的下表面；

通过第二工艺彻底去除牺牲层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，第一工艺是化学机械抛光工艺。

14.如权利要求13所述的方法，其中，第二工艺是蚀刻工艺。

15.如权利要求4所述的方法，所述方法还包括在通过第一表面暴露的插塞上形成连接构件。

16.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括将另一半导体器件附着到基底的第一表面，其中，通过所述连接构件将该另一半导体器件电连接到由权利要求15所述的方法制造的半导体器件。

17.如权利要求15所述的方法，其中，所述连接构件包括焊料。

18.一种半导体器件，包括：

第一半导体芯片；

穿过第一半导体芯片的插塞；

形成在插塞上的连接构件；

设置在第一半导体芯片上并通过所述连接构件电连接到第一半导体芯片的第二半导体芯片，

其中，第一半导体芯片包括第一表面和背对第一表面的第二表面，

插塞包括通过第一表面暴露的第一连接部分和通过第二表面暴露的第二连接部分，

所述连接构件形成在第一连接部分上，

其中，第一绝缘层形成在第二表面上，

第二绝缘层形成在第一半导体芯片中的插塞的外表面和第二连接部分上。

19.如权利要求18所述的半导体器件，其中，第二绝缘层围绕插塞的从第二表面突出的外侧壁。

20.如权利要求19所述的半导体器件，其中，通过第二绝缘层暴露插塞的下表面。