[发明专利]去边宽度检测方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种去边宽度检测方法及装置。

背景技术

半导体器件制造过程中，由于工艺技术的局限，晶片边缘往往是缺陷很高的地方，为了提高产品的成品率，需要在旋涂光刻胶后将晶片边缘可能造成缺陷的、特定宽度的光刻胶去掉。

去除晶片边缘特定宽度光刻胶的方法有两种，一种是EBR(Edge BeadRemoval，去除边圈)方法：在旋涂光刻胶后，光刻胶在离心力的作用下流到晶片的边缘或者背面，干燥后，这些光刻胶容易剥落并产生颗粒，从而在后续的工艺过程中成为缺陷或故障的来源，EBR方法是在光刻胶旋转涂胶器上装配一个喷嘴，从所述喷嘴内喷出少量可以去除光刻胶的溶剂到晶片的边缘及背面，利用所喷的溶剂和光刻胶相似相容的特性将光刻胶去除。另一种是WEE(Wafer Edge Exposure，晶片边缘曝光去边)方法：对晶片边缘特定宽度的光刻胶进行曝光，然后利用显影液将晶片边缘特定宽度的光刻胶去除，从而避免边缘处光刻胶转移到背面(例如，硬烤过程中光刻胶就有可能流动到背面)，使后续的工艺过程保持清洁。

上述两种方法都可用来去除晶片边缘特定宽度的光刻胶，但是，去除光刻胶的宽度(简称去边宽度)的准确度，直接影响到晶片上的有效面积，例如，当晶片为8英寸时，如果去边宽度为3毫米，则晶片上得到的有效管芯为844个，如果去边宽度为1.6毫米，则有效管芯变为860个，两者相差2％；当晶片为12英寸时，如果将去边宽度从原先的1.5毫米变为3毫米，则晶片上损失的有效面积约为1400平方毫米，且当管芯的面积越小，损失的管芯数目就越多。因此，为了准确控制实际可生产的管芯数目，需要精确检测去边宽度。

目前常用的检测去边宽度的方法有两种：第一，采用直尺或游标卡尺(统称尺子)进行测量，采用此方法测量时，鉴于尺子放在晶片上会划伤晶片表面，因此，需要将尺子悬空进行测量，参见图1，从尺子104上读取晶片101的物理边缘102和去边边缘103之间的距离。该方法一是由于尺子悬空，二是由于目测，故测量结果很不准确。第二，采用目镜带刻度的显微镜进行测量，此方法也是通过人为来读取去边宽度，因此测得的去边宽度至少有0.5mm的误差，相比一般去边宽度0.1mm的精度要求来说，该方法得到的结果也不够准确；且目镜带刻度的显微镜成本较高，不是所有半导体企业都具有的，使用范围受限。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种去边宽度检测方法及装置，能够准确检测出去边宽度，满足去边宽度的精度要求，且使用范围不受限制。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种去边宽度检测方法，所述方法包括：

利用叠对量测仪器对晶片进行初始坐标定位；

从初始坐标引出射线分别与晶片去边边缘和晶片物理边缘相交，得到晶片物理边缘上第一点和晶片去边边缘上第二点；

获取晶片物理边缘上第一点的坐标，将该坐标记为第一坐标；

获取晶片去边边缘上第二点的坐标，将该坐标记为第二坐标；

根据所述第一坐标和第二坐标，计算得到晶片的去边宽度。

优选的，利用叠对量测仪器对晶片进行初始坐标定位具体包括：

将晶片置于叠对量测仪器的机台上；

调整晶片的位置，使晶片中心位于所述机台的坐标原点处。

优选的，获取晶片物理边缘上第一点的坐标具体包括：

移动晶片，使晶片物理边缘上的第一点处于叠对量测仪器的可视窗口的几何中心；

从叠对量测仪器的坐标窗口读取晶片物理边缘上第一点的坐标。

优选的，获取晶片去边边缘上第二点的坐标具体包括：

沿晶片上经过所述第一点的半径移动晶片，使晶片去边边缘上的第二点处于叠对量测仪器的可视窗口的几何中心；

从叠对量测仪器的坐标窗口读取晶片去边边缘上第二点的坐标。

优选的，所述可视窗口的几何中心为具有十字形形状的中心。

优选的，所述第一坐标和第二坐标的横坐标均为0。

优选的，所述第一坐标和第二坐标的纵坐标均为0。

优选的，计算得到晶片的去边宽度之后还包括：至少测量晶片物理边缘上除所述第一点之外的其他两点对应的去边宽度，并对各去边宽度求平均值。

本发明还提供了一种去边宽度检测装置，所述装置包括：定位单元、读取坐标单元和计算单元；

其中：

所述定位单元用于对晶片进行初始坐标定位；