[发明专利]塑料表面电磁屏蔽处理方法及其制品无效
申请号: | 201010539837.5 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102465254A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;马闯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/04;C23C14/20;C23C14/35;H05K9/00;G12B17/02 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑料 表面 电磁 屏蔽 处理 方法 及其 制品 | ||
技术领域
本发明涉及一种塑料表面电磁屏蔽处理方法及其制品。
背景技术
随着电子产品的普及,以及电子产品小型化和高速电子组件的发展,如何防止外部的电磁干扰和自身静电放电的防护,已成为电子产品设计的必然要求。
目前屏蔽电磁干扰的主要方法之一是采用外覆导电层的高分子塑料制品来屏蔽电磁干扰,如在塑料制品表面镀覆铜、银及铝等金属导电层。由于通过真空镀膜法制备的金属导电层与塑料基体之间的结合力不佳,真空镀膜技术应用于塑料制品表面电磁屏蔽处理存在一定的局限性。
为解决上述问题,中国专利CN 101175394A公开了一种防护电磁干扰的多层复合膜材料的制备方法,该方法为:在真空镀覆金属导电层之前于塑料基体上涂敷一底漆如紫外固化漆层和/或聚氨酯漆涂层,用以提高所述塑料基体与金属导电层之间的结合力。但,所述底漆的制造工艺存在生产周期长、生产效率低及环境污染严重等缺点。
发明内容
鉴于此,提供一种生产效率较高且环境友好的塑料表面电磁屏蔽处理方法。
另外,还有必要提供一种由上述方法制得的塑料制品。
一种塑料表面电磁屏蔽处理方法,其包括如下步骤:
提供塑料基体;
采用射频等离子镀膜法,于所述塑料基体上形成过渡层,所述过渡层为SiO2层;
依次于所述过渡层上形成电磁屏蔽层及防护层。
一种塑料制品,该塑料制品包括塑料基体,及依次形成于该塑料基体上的过渡层、电磁屏蔽层及防护层,所述过渡层为SiO2层。
本发明所述塑料表面电磁屏蔽处理方法在所述塑料基体上先采用射频等离子镀膜法形成SiO2过渡层,再于该SiO2过渡层上依次形成电磁屏蔽层及防护层。所述过渡层取代了常规的作为基础层的紫外固化漆层和/或聚氨酯漆涂层,提高了所述塑料基体与电磁屏蔽层、防护层之间的附着力;更重要的是,与所述紫外固化漆层和聚氨酯漆涂层相比,射频等离子镀膜法形成所述SiO2过渡层的工艺简单、快捷,且几乎无环境污染。如此,简化了塑料表面电磁屏蔽处理的工艺流程,提高了制造所述塑料制品的生产效率,同时大大降低了对环境造成的污染。
附图说明
图1为本发明较佳实施方式塑料制品的剖视示意图。
主要元件符号说明
塑料制品 10
塑料基体 11
过渡层 13
电磁屏蔽层 14
防护层 15
具体实施方式
请参阅图1,本发明一较佳实施例的塑料表面电磁屏蔽处理整个过程均在一连续真空镀膜机(图未示)中进行。所述连续真空镀膜机包括一等离子清洗室、一射频等离子镀膜室、一第一金属镀膜室、一第二金属镀膜室、一传动装置及安装于该传动装置上的一工件架。置于所述工件架上的塑料基体11随传动装置由等离子清洗室依次进入射频等离子镀膜室、第一金属镀膜室及第二金属镀膜室,如此在塑料制品10上依次镀覆过渡层13、电磁屏蔽层14及防护层15。
所述塑料表面电磁屏蔽处理方法主要包括如下步骤:
提供塑料基体11,该塑料基体11可以通过注塑成型得到,其具有待制得的塑料制品10的结构。所述塑料基体11的材质可为聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、聚酯(PETP,PBTP)以及聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的任一种或几种。
对经上述处理后的塑料基体11的表面进行氩气等离子体清洗,以去除塑料基体11表面的油污,以及改善塑料基体11表面与后续涂层的结合力。该等离子体清洗的具体操作及工艺参数为:将所述塑料基体11置于连续真空镀膜机的等离子清洗室内的工件架上,对所述等离子清洗室、射频等离子镀膜室、第一金属镀膜室及第二金属镀膜室进行抽真空处理至各室真空度均为5.0×10-3Pa,向等离子清洗室内通入流量为90~270sccm的氩气,设置射频电源功率为700~900W,使所述氩气发生离子化而产生氩气等离子体对塑料基体11的表面进行物理轰击,而达到对塑料基体11表面清洗的目的。所述等离子体清洗时间为1~10min。
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