[发明专利]一种PMOS动态移位寄存器单元及动态移位寄存器有效
| 申请号： | 201010560263.X | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479552A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 钱栋;曾章和 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;G09G3/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 动态 移位寄存器 单元 | ||
1.一种PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，源极和栅极之间接有第一电容，栅极连接第一节点；
第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接滞后脉冲信号，栅极连接第二节点，第二节点和源极之间接有第二电容；
第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接输入信号；
第四PMOS管的源极连接第一节点，漏极连接接地信号，栅极连接超前脉冲信号；
第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；
第六PMOS管的栅极连接输入信号，源极连接第二节点，漏极连接接地信号；
滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。
2.根据权利要求1所述的PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，还包括第七PMOS管；
第七PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点。
3.根据权利要求2所述的PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，所述PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
4.一种PMOS动态移位寄存器，其特征在于，包括三个如权利要求1-3任一项所述的PMOS动态移位寄存器单元，分别为第一动态移位寄存器单元，第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元；还包括脉冲信号发生器；
脉冲信号发生器，用于产生相位依次相差1/3脉冲周期的三个脉冲信号，依次是第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号；
第一脉冲信号和第三脉冲信号分别作为第一动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第二脉冲信号和第一脉冲信号分别作为第二动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第三脉冲信号和第二脉冲信号分别作为第三动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第一动态移位寄存器单元的输入端连接输入信号，输出端连接第二动态移位寄存器单元的输入端；
第二动态移位寄存器单元的输出端连接第三动态移位寄存器单元的输入端；
第三动态移位寄存器单元的输出端作为下一个PMOS动态移位寄存器的输入信号。
5.根据权利要求4所述的PMOS动态移位寄存器，其特征在于，所述动态移位寄存器集成在显示器面板上。
6.一种PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，栅极连接第一节点；
第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接第三脉冲信号，栅极连接第二节点；
第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点；
第四PMOS管的源极连接接地信号，漏极连接第一节点，栅极连接第一脉冲信号；
第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；
第六PMOS管的源极连接输入信号，漏极连接第二节点，栅极连接第二脉冲信号；
第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号的相位依次相差1/3脉冲周期。
7.根据权利要求5所述的PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，所述PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
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