[发明专利]一种半导体装置及使用方法有效
| 申请号： | 201010568293.5 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479670A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 使用方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：反应腔室、位于反应腔室内的基台，用于承载晶圆；其特征在于，还包括：区域选择器，所述区域选择器悬置于反应腔内，与基台间具有间隙，所述区域选择器覆盖晶圆大小且具有缺口，所述缺口暴露部分晶圆由中心至边缘的区域。
2.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述区域选择器的材料是金属、硅、塑料或陶瓷。
3.根据权利要求1或2中任一项所述半导体装置，其特征在于，所述区域选择器的形成为圆形或方形。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述区域选择器分成多个扇片，所述各扇片之间相互衔接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述区域选择器缺口角度调节范围在5度到340度之间。
6.根据权利要求5所述半导体装置，其特征在于，所述区域选择器上包括有电机，驱动区域选择器转动。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述区域选择器通过支撑装置使其悬置。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述支撑装置与反应腔室固定连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述支撑装置为支撑杆或支撑柱或可伸缩调节杆。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述支撑装置上设置有电机，其通过电子线路与所述区域选择器相连接，驱动区域选择器转动。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括存储室，所述存储室设置于反应腔室一侧，用于存储所述区域选择器。
12.一种使用如权利要求1所述半导体装置的方法，其特征在于，包括下列步骤：
将晶圆放置在所述基台上；
将区域选择器悬置于晶圆上方，所述区域选择器缺口对准需要刻蚀或沉积的部分晶圆由中心至边缘的第一区域；
设定第一参数并对所述选定区域的晶圆进行刻蚀或沉积；
检测刻蚀或沉积效果，确定第一参数下刻蚀或沉积效果是否合适；
如不合适，调整区域选择器缺口对准晶圆的除第一区域外的不同位置，采用不同的参数对相应的选定区域进行刻蚀或沉积，通过检测直到找出合适的参数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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