[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；

源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体的相对的第一侧面；

栅极，所述栅极位于所述半导体基体的相对的第二侧面上；以及

背栅，所述背栅位于所述半导体衬底上并嵌于所述绝缘层和所述半导体基体中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：侧墙，所述侧墙形成于半导体衬底上并环绕所述背栅。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述侧墙材料包括铪基氧化物、氧化铝、氧化镧、氧化锆、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其组合。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在垂直于所述第二侧面的方向上，所述侧墙的厚度为2nm～10nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第二侧面和所述背栅之间夹有沟道层和掩膜层，所述沟道层夹于所述绝缘层和所述掩膜层之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在垂直于所述第二侧面的方向上，所述沟道层的厚度为5nm～40nm。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，对于NMOS器件，所述沟道层包含P型超陡后退阱；对于PMOS器件，所述沟道层包含N型超陡后退阱。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在垂直于所述半导体衬底的方向上，所述栅极和/或所述背栅至少高于所述沟道层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述背栅材料为掺杂或未掺杂的多晶硅或非晶硅、或者金属中的一种或其组合。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一侧面与所述第二侧面垂直。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：半导体辅助基体，所述半导体辅助基体的上表面低于所述半导体基体的上表面，所述半导体辅助基体接于所述第一侧面上，所述源漏区形成于所述半导体辅助基体上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述半导体辅助基体中包含Si，

其中，对于PMOS器件，所述源漏区包括Si_1-XGe_X，0＜x＜1；对于NMOS器件，所述源漏区包括Si:C。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，在所述Si_1-XGe_X中，X的取值范围为0.1～0.7。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，在所述Si:C中，C的原子数百分比的取值范围为0.2％～2％。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底包括掺杂层，所述背栅位于所述掺杂层上。

16.一种半导体器件的形成方法，包括：

在半导体衬底上形成绝缘层；

在绝缘层上形成半导体基底；

形成源漏区，所述源漏区接于所述半导体基底的相对的第一侧面；

形成栅极，所述栅极位于所述半导体基底的相对的第二侧面上；

去除所述半导体基底和所述绝缘层内部分材料，以在所述半导体基底和所述绝缘层内形成空腔，所述空腔暴露所述半导体衬底；以及

在所述空腔中形成背栅。