[发明专利]含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料及其应用有效
申请号: | 201010575067.X | 申请日: | 2010-12-03 |
公开(公告)号: | CN102060982A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 黄飞;曹镛;王明 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/54;H01L51/30;H01L51/46 |
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地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 噻二唑 有机半导体 材料 及其 应用 | ||
1.一种含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑结构的有机半导体材料,其特征在于所述有机半导体材料结构式为:
其中Ar为芳香基团;x、y分别为所述有机半导体材料中芳香基团Ar与萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑单元的相对含量;芳香基团Ar与萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑单元以共轭方式连接;n为所述有机半导体材料的聚合度。
2.根据权利要求1所述含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料,其特征在于所述0<x<1,0<y<1,x+y=1;n为1~10000的自然数。
3.根据权利要求1所述的含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料,其特征在于所述芳香基团为芴、咔唑、硅芴、苯并二噻吩、苯、噻吩、联噻吩、并噻吩、噻吩并环戊二烯、吲哚芴、吲哚咔唑及以上所有结构的衍生物的一种以上。
4.根据权利要求1所述的含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料,其特征在于所述芳香基团Ar为如下所示结构的一种以上:
其中R、R1~R4为氢原子或者烷基链。
5.根据权利要求4所述的含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料,其特征在于所述烷基链为具有1~22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链,其中一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基、硝基取代,氢原子被卤素原子或上述官能团取代。
6.权利要求1所述的含萘[1,2-c:5,6-c]二[1,2,5]噻二唑的有机半导体材料在有机光电器件中的应用。
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