[发明专利]半导体存储装置及其测试及控制方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的测试方法，其特征在于，包含以下步骤：

施加一第一电压至一第一传导线，该第一传导线连接至该半导体存储装置的一存储器单元的一晶体管的一漏极或源极；

施加一第二电压至一第二传导线，该第二传导线连接至该半导体存储装置的该存储器单元的该晶体管的一栅极，其中施加该第一与第二电压是被执行以使该第一传导线处于一高于该第二传导线的电压电位；以及

在施加该第一与第二电压期间，至少部分基于该第二传导线的一电流的一电平，决定一缺陷是否出现在该半导体存储装置中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体存储装置包含NOR闪存。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一传导线为一位线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二传导线为一字线。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，施加该第二电压的步骤包含施加一负电压至该第二传导线。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该决定步骤包含：决定一栅极至漏极缺陷是否出现在该半导体存储装置中。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，决定该栅极至漏极缺陷是否出现的该步骤包含：决定一种二极管-加上-电阻型式缺陷是否出现在该半导体存储装置中。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，决定该栅极至漏极缺陷是否出现的该步骤包含：决定一电阻型式缺陷是否出现在该半导体存储装置中。

9.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

一存储器阵列，其包含一存储器单元、一连接至该存储器单元的第一传导线、以及一连接至该存储器单元的第二传导线；

一电路，用以提供正电压至该第一导线的电路及选择性地提供正电压与负电压的任一个至该第二传导线；

其中该电路是被设计成用以在一测试程序期间提供该负电压，并在一读取程序期间提供该正电压。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，该电路包含：

一第一输入端子，用以接收一第一控制信号；

一第二输入端子，用以接收一第二控制信号；以及

一输出端子，用以依据该第一与第二控制信号输出一输出电压。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，该电路更包含：

一第一晶体管；

一第二晶体管，与该第一晶体管串联连接；

一第三晶体管，与该第一晶体管并联连接，

其中该第一与第二晶体管是被连接以于其各栅极接收该第一控制信号，且

其中该第三晶体管是被连接以于其栅极接收该第二控制信号。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于，该第一晶体管是被连接以于其源极接收一正电源电压，且其中该第二晶体管是被连接以于其源极接收一负电源电压。

13.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，该测试程序允许在该第一与第二传导线之间的该存储器阵列的一漏电流缺陷的侦测。

14.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

一存储器阵列，其包含一浮动栅极晶体管、一连接至该浮动栅极晶体管的漏极的位线、以及一连接至该浮动栅极晶体管的栅极的字线；

一电路，用以提供正电压至该位线的电路及选择性地提供正电压与负电压的任一个至该字线；

其中该电路是被设计成用以在一测试程序期间提供该负电压，以及在一读取程序期间提供该正电压。

15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其特征在于，该电路包含：

一第一输入端子，用以接收一第一控制信号；

一第二输入端子，用以接收一第二控制信号；以及

一输出端子，用以依据该第一与第二控制信号输出一输出电压至该字线。