[发明专利]被覆件及其制造方法无效
申请号: | 201010602367.2 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102560343A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;刘咸柱;李聪 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被覆 及其 制造 方法 | ||
1.一种被覆件,包括基体及形成于该基体上的润滑层,其特征在于:所述润滑层为钼硫硼氮层,其含有MoS2相及BN相。
2.如权利要求1所述的被覆件,其特征在于:所述润滑层的厚度为0.8~1.3μm。
3.如权利要求1所述的被覆件,其特征在于:所述被覆件还包括形成于所述基体与润滑层之间的结合层。
4.如权利要求3所述的被覆件,其特征在于:该结合层为钼金属层,其厚度为200~300nm。
5.如权利要求1所述的被覆件,其特征在于:所述基体的材质为不锈钢、高速钢或模具钢。
6.一种被覆件的制造方法,包括以下步骤:
提供基体;
以MoS2靶及BN靶为靶材,于基体上磁控溅射润滑层,所述润滑层为钼硫硼氮层,其含有MoS2相及BN相。
7.如权利要求6所述的被覆件的制造方法,其特征在于:磁控溅射形成所述润滑层的步骤采用如下方式实现:采用氩气为工作气体,其流量为120~350Sccm,设置MoS2靶的电源功率为100~300W、BN靶的电源功率为100~500W,于基体上施加-100~-300V的偏压,沉积气压为12~18Pa,镀膜温度为100~200℃,沉积时间为90~200min。
8.如权利要求6所述的被覆件的制造方法,其特征在于:所述被覆件的制造方法还包括于所述基体与润滑层之间磁控溅射形成结合层的步骤。
9.如权利要求8所述的被覆件的制造方法,其特征在于:磁控溅射形成所述结合层的步骤采用如下方式实现:以氩气为工作气体,设置其流量为300~400sccm,于基体上施加-100~-300V的偏压,采用钼靶为靶材,设置其电源功率为2~5kw,镀膜温度为100~200℃,溅射时间为20~40min。
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