[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

一基底，包括一第一表面和一第二表面，其中该基底为第一型态；

一穿孔，贯穿该基底，该基底的穿孔中包括一第三表面；

一第一薄膜半导体层，设置于该穿孔中的第三表面和并延伸至该基底的第二表面上方，其中该第一薄膜半导体层为第二型态；

一第二薄膜半导体层，设置于该基底的第一表面上；

一透明导电层，设置于该第二薄膜半导体层上；及

一穿孔连接层，设置于该穿孔中，并延伸至该基底的第一表面和第二表面上方，其中该第一薄膜半导体层和该基底之间形成一接面，用以避免穿孔连接层和基底间的短路发生。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，还包括一掺杂区，设置于该基底的第二表面和该穿孔中的第三表面下，其中该掺杂区具有第一型态。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，还包括一第一图案化金属层，设置于该透明导电层上，和一第二图案化金属层，设置于该基底的第二表面上。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，还包括一本质薄膜半导体层，位于该第一薄膜半导体层和该基底之间。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，还包括一第三薄膜半导体层具有第一型态，位于该基底的第二表面上。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其中在该第三薄膜半导体层与该基底的第二表面之间，还包含一本质薄膜半导体层。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，还包括一第一图案化金属层，设置于该透明导电层上；和一第二图案化金属层，设置于该第三薄膜半导体层上，其中还包括一透明导电层，位于该第三薄膜半导体层和一第二图案化金属层之间。

8.一种太阳能电池，包括：

一基底，包括一第一表面和一第二表面，其中该基底为第一型态；

一穿孔，贯穿该基底，该基底的穿孔中包括一第三表面；

一绝缘层，设置于该穿孔中的第三表面和并延伸至该基底的第二表面上方；

一第一薄膜半导体层，设置于该基底的第一表面上，其中该第一薄膜半导体层为第二型态；

一透明导电层，设置于该第一薄膜半导体层上；及

一穿孔连接层，设置于该穿孔中，并延伸至该基底的第一表面和第二表面上方。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，还包括一掺杂区，设置于该基底的第二表面和该穿孔中的第三表面下，其中该掺杂区具有第一型态。

10.如权利要求8所述的太阳能电池，还包括一第一图案化金属层，设置于该透明导电层上；和一第二图案化金属层，设置于该基底的第二表面上。

11.如权利要求8所述的太阳能电池，还包括一本质薄膜半导体层，位于该第一薄膜半导体层和该基底之间。

12.如权利要求8所述的太阳能电池，还包括一第二薄膜半导体层，设置于该基底的第二表面上，且延伸入该穿孔中，其中该第二薄膜半导体层为第一型态，其中还包括一本质薄膜半导体层，位于该第二薄膜半导体层和该基底第二表面之间。

13.如权利要求8所述的太阳能电池，还包括一图案化金属层，设置于该第二薄膜半导体层上，其中还包括一透明导电层，位于该第二薄膜半导体层和一图案化金属层之间。

14.如权利要求8所述的太阳能电池，还包括一第二薄膜半导体层，设置于该基底的第二表面上，其中该第二薄膜半导体层为第一型态，且还包括一本质薄膜半导体层，位于该第二薄膜半导体层和该基底第二表面之间，还包括一第二图案化金属层，设置于该第二薄膜半导体层上，其中还包括一透明导电层，位于该第二薄膜半导体层和一图案化金属层之间，其中该基底第二表面上方的图案化金属层以外的区域不包括该第二薄膜半导体层。