[发明专利]薄壁端口结晶的方法有效
| 申请号： | 201010616348.5 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102529068A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 秦光泽;谢荣祥;赖星州;周壬守;秦俪凌 | 申请（专利权）人： | 合默麟开发有限公司 |
| 主分类号： | B29C49/42 | 分类号： | B29C49/42;B29C49/64 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄壁 端口 结晶 方法 | ||
1.一种薄壁端口结晶的方法，用于对一瓶胚(10)的一端口(11)进行结晶化处理，并消除位于所述端口(11)的顶面的一波纹(12)，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
进行一软化加热程序(S1)，所述软化加热程序(S1)为通过一第一加热单元(30)加热软化所述瓶胚(10)的所述端口(11)；
进行一压胚程序(S2)，所述压胚程序(S2)通过一冲压机构(20)冲压整平所述端口(11)的顶面而消除所述波纹(12)；以及
进行一结晶加热程序(S4)，所述结晶加热程序(S4)为通过一第二加热单元(40)加热使所述瓶胚(10)的所述端口(11)结晶。
2.根据权利要求1所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，还包括以下步骤：进行一测量程序(S5)，所述测量程序(S5)通过一尺寸图像测量装置(50)取得所述端口(11)的结晶后尺寸，并依据所述端口(11)的尺寸调整所述冲压机构(20)的冲压行程。
3.根据权利要求1所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，还包括以下步骤：进行一温度监测程序(S3)，所述温度监测程序(S3)于所述压胚程序(S2)时，监测所述瓶胚(10)的所述端口(11)的温度。
4.根据权利要求1所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，所述瓶胚(10)的材质为聚对苯二甲酸乙二酯，且所述软化加热程序(S1)为加热到摄氏100度～180度。
5.根据权利要求4所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，所述软化加热程序(S1)为加热到摄氏110度～150度。
6.根据权利要求1所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，所述瓶胚(10)套设于一胚座(21)上，所述胚座(21)具有一抵压面(211)，所述抵压面(211)顶触所述端口(11)的顶面，而所述冲压机构(20)包括一凸轮(22)与一冲压件(23)，所述冲压件(23)通过所述凸轮(22)的转动驱使而上下位移冲压所述瓶胚(11)，使所述抵压面(211)挤压所述端口(11)的顶面。
7.根据权利要求1所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，所述第一加热单元(30)包括多个加热器。
8.根据权利要求1所述的薄壁端口结晶的方法，其特征在于，所述第二加热单元(40)包括多个加热器。
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