[实用新型]胚片镭射纵切设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子胚片加工设备，尤其涉及一种胚片镭射纵切设备。

背景技术

电子胚片是电子工业必不可少的基础材料，包括以金属、非金属作为基材的各种含胶的薄型片状和卷状材料。为了满足下游用户的需求，一般都要根据客户要求进行机械加工。目前在普通的机械加工过程中，无微熔加工工艺，存在加工断面会产生破裂、毛边、白边、变质等缺陷，加工残留物如切屑将污染其他材料表面的质量。随着电子工业的高速发展，人们对电子材料的质量要求越来越高，加工断面的质量变化不被客户接受，普通的机械加工难于满足胚片的性能要求。

用镭射切割加工是近年兴起的一种加工方法，其对部分材料的加工取得了显著的效果。但是对于电子胚片的加工，镭射切割存在下列缺点：1.对含有玻璃布等耐高温的电子胚片，镭射切割困难，稍厚的电子胚片不能切断；2.镭射切割的速度不能满足在线20M/min的高速要求，生产效率低；3.镭射切割的高温会产生碳化物微粒，这种黑色的微粒会导电，飞扬到胚片的表面会造成致命的品质缺陷。同时，由于电子胚片是一种半固化状态，在加工过程中，是不允许用水等液体对其进行清洗的，因此，镭射切割加工过程中产生的碳化物无法避免，镭射切割方法不适于电子胚片的加工。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种胚片镭射纵切设备，通过设置镭射装置，对胚片加工位置进行微熔处理，解决加工断面破裂、毛边、白边、变质等问题，使其加工面质量与未加工面质量达到完全一致的效果，得到质量高的胚片。

为实现上述目的，本实用新型提供一种胚片镭射纵切设备，其包括主机架、设于该主机架一端的开卷装置、设于主机架另一端的收卷装置、依次设于该开卷装置与收卷装置之间的操作台、接驳台、张力检测器、切刀装置、镭射装置、及数个滚筒；该切刀装置包括竖直相对设置的上刀装置及下刀装置，镭射装置包括水平相对设置的前镭射装置及后镭射装置，该前镭射装置与后镭射装置分别设于切刀装置前后两侧的上方。

所述主机架上一端设有一开卷机架，另一端设有一收卷机架，开卷装置安装于该开卷机架上，收卷装置安装于该收卷机架上。

开卷装置及收卷装置内均设有安装卷状材料的芯轴、及与该芯轴连接的用以驱动和控制材料卷的力矩电机。

所述操作台设于主机架上位于开卷机架与接驳台的中间位置处，该操作台两侧分别设有两第一滚筒。

所述接驳台为一矩形的平台，该接驳台两侧分别设有两第二滚筒，所述张力检测器设于该接驳台远离开卷装置的一侧，该张力检测器靠近接驳台一侧的主机架上设有一第三滚筒。

所述上刀装置安装于一矩形刀架上，该矩形刀架固定于主机架上，下刀装置对应设于该矩形刀架内上刀装置的下方。

所述上刀装置设有一无动力驱动的上滚刀，该上滚刀的直径为30mm～200mm，该上滚刀安装位置可调，其在竖直方向上可作上下运动。

所述下刀装置设有一带有动力驱动的下滚刀，该下滚刀直径为50mm-200mm。

所述下滚刀在下刀装置上的安装位置可调，该下刀装置两侧分别设有两第四滚筒。

所述镭射装置以发射光束射线对材料进行加热，该光束射线达到材料上的直径为1～6mm，对材料表面的加热温度为50～160℃。

本实用新型的有益效果：本实用新型所提供的胚片镭射纵切设备，其在胚片机械纵切加工前，用镭射光束对将要加工的位置进行快速微熔处理，使材料细小范围内性能改变以适应机械加工；在机械加工后，再次对机械加工面进行微熔处理，使加工断面无破裂、毛边、白边、变质等缺陷，无加工残留物污染其他材料表面的质量。整个加工过程中，镭射对胚片加工面的微熔程度与机械加工的速度通过控制系统进行自动控制，确保加工面的质量稳定。经过本实用新型处理后的胚片，其加工面质量达到与未加工面质量完全一致的效果，大大提高了胚片品质的一致性，达到了电子材料高品质的要求。

为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本实用新型胚片镭射纵切设备的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其装饰效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。