[实用新型]新型3串高频高压大电流膜箔式电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电器元件制造技术领域，具体涉及一种新型3串高频高压大电流膜箔式电容器。 

背景技术

目前，高频高压大电流膜箔式电容器一般为内2串的结构，其芯子由一单面双留边金属化膜层，两金属箔层，至少一生膜层叠绕而成，如图1、图2和图3所示。其中，金属箔层由两个横向并排放置的金属箔组成，两个金属箔之间存在一较大空隙。 

这种膜箔式电容器结构简单，生产方便，但存在着如下缺点： 

1、两个金属箔之间存在空隙比较大，使得芯子、成品的外型上正对内部空隙位置的表面上有一道明显的凹痕，且当电容器工作在高电压或大电流的条件下时，在其内部空隙部位容易产生电离甚至飞弧闪火，导致产品绝缘介质老化或烧蚀，可靠性和寿命下降； 

2、电容器的内串数少，只有两串，芯子端头引出金属电极面积比较小，因此，不能满足大功率开关电源、可控硅换向、镇流器逆变和节能灯谐振电路等超大dv/dt、di/dt变化和高工作频率的要求； 

3、电容器的额定交流工作电压较低，一般最高为500Vac(50Hz)。 

目前，用于消除或减小这个芯子内部空隙的主要办法是：将芯子放入专用设备中抽真空后再浸渍液态环氧来填充空隙，由于这种芯子一般为扁型，中部区域内空隙大，两侧部位层间接触比较紧密，用浸渍料来填充空隙的期望远远不能达到要求。 

为解决现有技术中的上述不足，本实用新型提供了一种新的解决方案。 

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是：如何提供一种新型3串高频高压大电流膜箔式电容器，该膜箔式电容器不仅可以基本消除现有的内2串膜箔式电容器中两金属箔存在的气隙和电容器表面上的凹痕，而且可以提高膜箔式电容器交流工作电压、载流能力、抗电离能力和工作频率，以满足大功率电力电子线路发展对电容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能力和工作频率要求高的需求。 

为达到上述发明目的，本实用新型所采用的技术方案为：提供一种新型3串高频高压大电流膜箔式电容器，由壳体或环氧包封层、封装在壳体或环氧包封层内的芯子、穿过壳体或环氧包封层从芯子上引出的引出线组成；其特征在于：所述芯子采用无感式卷绕结构；所述芯子的卷绕层的横截面自下而上由四个结构层组成；其中，第一结构层由生膜组成，第二结构层由横向并排放置的金属箔和双面双留边金属化膜组成；第三结构层为生膜层；第四结构层由横向并排放置的金属箔和双面双留边金属化膜组成；所述第二结构层中的金属箔横向并排设置在双面双留边金属化膜的右侧；所述第四结构层中金属箔横向并排设置在双面双留边金属化膜的左侧；所述金属箔一端与双面双留边金属化膜紧靠在一起，另一端露在生膜外。 

所述第二结构层与第四结构层垂直移动交换层位后，其特性不变。 

按照本实用新型所提供的新型3串高频高压大电流膜箔式电容器，其特征在于：所述第一结构层和第三结构层均由两层生膜叠合而成。 

按照本实用新型所提供的新型3串高频高压大电流膜箔式电容器，其特征在于：所述引出线的横截面呈圆形或矩形结构。 

综上所述，本实用新型所提供的新型3串高频高压大电流膜箔式电容器不仅可以基本消除现有的内2串膜箔式电容器中两金属箔间存在的气隙和电容器上的凹痕，而且可以提高膜箔式电容器交流工作电压、载流能力、抗电离能力和工作频率，以满足大功率电力电子线路发展对电容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能力和工作频率要求高的需求。

附图说明

图1为现有的内2串膜箔式电容器的第一种结构示意图； 

图2为现有的内2串膜箔式电容器的第二种结构示意图； 

图3为现有的内2串膜箔式电容器的第三种结构示意图； 

图4为新型3串高频高压大电流膜箔式电容器的结构示意图； 

图5为新型3串高频高压大电流膜箔式电容器的另一种结构示意图； 

图6为图4和图5中的电容器的电气原理图； 

图7为新型3串高频高压大电流膜箔式电容器的芯子引出方式示意图。 

其中，1、金属箔；2、双面双留边金属化膜；3、生膜；4、空隙；5、芯子；6、引出线。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细地描述：