[发明专利]集成压控振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201080006271.8 申请日: 2010-02-02
公开(公告)号: CN102301587B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 维普尔·查瓦拉;王沈 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03B5/12 分类号: H03B5/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 集成 压控振荡器 电路
【权利要求书】:

1.一种包含耦合到混频器的压控振荡器(VCO)的设备,所述VCO包含:

第一晶体管,其经配置以由第一偏压电流来加DC偏压;

第二晶体管,其经配置以由第二偏压电流来加DC偏压;

至少一个栅极电感,其将所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的栅极;

第一漏极电感,其以磁性方式耦合到栅极电感,所述第一漏极电感耦合到所述第一晶体管的漏极;

第二漏极电感,其以磁性方式耦合到栅极电感,所述第二漏极电感耦合到所述第二晶体管的漏极;以及

至少一个可变电容,其将所述第一晶体管的所述栅极耦合到所述第二晶体管的所述栅极;所述混频器包含分别耦合到所述第一及第二漏极电感的第一及第二输入节点,所述混频器经配置以由所述第一及第二偏压电流来加偏压。

2.根据权利要求1所述的设备,所述混频器经配置以对流经所述第一及第二节点的差分电流与第二信号进行混频以产生混频输出信号,所述第二信号包含所接收射频(RF)信号。

3.根据权利要求2所述的设备,所述第二信号包含基带信号,所述混频输出信号包含经上变频转换的信号。

4.根据权利要求2所述的设备,所述混频输出信号为本机振荡器信号。

5.根据权利要求1所述的设备,所述至少一个栅极电感包含第一栅极电感及第二栅极电感,所述第一栅极电感将所述第一晶体管的所述栅极耦合到DC电压,所述第二栅极电感将所述第二晶体管的所述栅极耦合到所述DC电压,所述第一栅极电感以磁性方式耦合到所述第二漏极电感,所述第二栅极电感以磁性方式耦合到所述第一漏极电感。

6.根据权利要求2所述的设备,所述第一及第二栅极电感由初级线圈形成,所述第一及第二漏极电感由两个次级线圈形成。

7.根据权利要求3所述的设备,所述两个次级线圈安放在所述初级线圈内。

8.根据权利要求3所述的设备,所述两个次级线圈堆叠在所述初级线圈下方。

9.根据权利要求2所述的设备,所述第一及第二栅极电感以及所述第一及第二漏极电感由单个变压器形成。

10.根据权利要求1所述的设备,所述至少一个可变电容包含变容器。

11.根据权利要求1所述的设备,所述至少一个可变电容包含可切换电容器组。

12.一种包含耦合到分频器电路的压控振荡器(VCO)的设备,所述VCO包含:

第一晶体管,其经配置以由第一偏压电流来加DC偏压;

第二晶体管,其经配置以由第二偏压电流来加DC偏压;

至少一个栅极电感,其将所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的栅极;

第一漏极电感,其以磁性方式耦合到栅极电感,所述第一漏极电感耦合到所述第一晶体管的漏极;

第二漏极电感,其以磁性方式耦合到栅极电感,所述第二漏极电感耦合到所述第二晶体管的漏极;以及

至少一个可变电容,其将所述第一晶体管的所述栅极耦合到所述第二晶体管的所述栅极;所述分频器电路包含分别耦合到所述第一及第二漏极电感的第一及第二输入节点,所述分频器经配置以由所述第一及第二偏压电流来加偏压。

13.根据权利要求12所述的设备,所述分频器电路包含二分频电路,所述二分频电路经配置以对流经所述第一及第二节点的差分电流的频率进行分频,以产生至少一个经分频的电压或电流。

14.根据权利要求13所述的设备,所述二分频电路包含:

耦合到所述第一漏极电感的第一及第二差分对,所述第二差分对经交叉耦合;

耦合到所述第二漏极电感的第三及第四差分对,所述第四差分对经交叉耦合;其中:

所述第一差分对的栅极耦合到所述第四差分对的漏极;

所述第二差分对的漏极耦合到所述第四差分对的所述漏极;

所述第四差分对的栅极耦合到所述第一差分对的漏极;

所述第三差分对的漏极耦合到所述第一差分对的所述漏极;所述经分频的电压或电流包含所述第四差分对的所述漏极之间的第一差分电压,以及所述第一差分对的所述漏极之间的第二差分电压。

15.根据权利要求13所述的设备,所述至少一个经分频的电压或电流包含正同相电压与负同相电压之间的所述差分电压。

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