[发明专利]溅射靶及溅射靶的处理方法无效

专利信息
申请号: 201080007833.0 申请日: 2010-05-18
公开(公告)号: CN102317498A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 大场彰;新田纯一;原田宣宏;金丰;美原康雄 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L21/285
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;孟桂超
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 溅射 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种溅射靶的处理方法,其特征在于:

通过对连接由作为非氢脆性材料的第1材料组成的第1靶部与由作为氢脆性材料的第2材料组成的第2靶部的溅射靶进行氢脆化处理,从而从该溅射靶中分离该第2靶部;

回收该第2材料;

回收该第1材料。

2.根据权利要求1所述的溅射靶的处理方法,其特征在于:

所述氢脆化处理工序包括在氢气氛中将所述溅射靶保持在第1温度,然后保持在低于该第1温度的第2温度。

3.一种溅射靶,用于形成合金组成的薄膜且具有被溅射面,其特征在于,包括:

第1靶部,由在氢气氛中不被脆化的作为非氢脆性材料的第1材料组成,并形成该被溅射面的一部分;

第2靶部,由在该氢气氛中脆化的作为氢脆性材料的第2材料组成,并与该第1靶部相连接,形成该被溅射面的另一部分。

4.根据权利要求3所述的溅射靶,其特征在于:

所述第1靶部由多个第1靶片组成;

所述第2靶部由多个第2靶片组成;

多个该第1靶片之间,介入有该第2靶片。

5.根据权利要求4所述的溅射靶,其特征在于:

所述第1材料包括含有第1元素的第1种类材料以及含有与该第1元素不同的第2元素的第2种类材料;

多个所述第1靶片包括由各该第1种类材料组成的靶片以及由该第2种类材料组成的靶片。

6.根据权利要求5所述的溅射靶,其特征在于:

所述第1种类材料为Al、Cu、W、Mo、Pt、Cr中的任一种;

所述第2种类材料为Ti、Zr、Fe、Ni、Ta、Nb中的任一种。

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