[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包含：

基板；

在所述基板上的第一电极；

第二电极；和

位于所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个光电转换单元，所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(称作i-型)半导体层、n-型半导体层和位于所述p-型半导体层与所述i-型半导体层之间的缓冲层，所述缓冲层的氢含量高于所述i-型半导体层的氢含量。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述i-型半导体层由非晶硅形成。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述i-型半导体层由微晶硅形成。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述缓冲层的厚度小于所述i-型半导体层的厚度。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其中所述缓冲层的厚度小于所述p-型半导体层的厚度。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述缓冲层的氢含量高于所述p-型半导体层的氢含量。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述i-型半导体层由微晶硅形成，并且

邻近所述缓冲层与所述i-型半导体层之间的结位置的所述i-型半导体层的结晶度大于或等于在所述i-型半导体层与所述n-型半导体层之间的结位置中的所述i-型半导体层的结晶度的50％。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其中在所述缓冲层与所述i-型半导体层之间的所述结位置中的所述i-型半导体层的结晶度大于或等于在所述i-型半导体层与所述n-型半导体层之间的所述结位置中的所述i-型半导体层的结晶度的75％。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述i-型半导体层含有锗(Ge)或含有碳(C)和氧(O)中的至少一种。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述缓冲层含有锗(Ge)或含有碳(C)和氧(O)中的至少一种。

11.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述p-型半导体层的p-型杂质的量高于所述缓冲层的p-型杂质的量。

12.一种太阳能电池，所述太阳能电池包含：

基板；

在所述基板上的第一电极；

第二电极；

位于所述第一电极与所述第二电极之间的第一光电转换单元，所述第一光电转换单元包含第一p-型半导体层、由非晶硅形成的第一本征(称作i-型)半导体层、第一n-型半导体层和位于所述第一p-型半导体层与所述第一i-型半导体层之间的第一缓冲层，所述第一缓冲层的氢含量高于所述第一i-型半导体层的氢含量；和

位于所述第一光电转换单元与所述第二电极之间的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元包含第二p-型半导体层、由微晶硅形成的第二本征(称作i-型)半导体层、第二n-型半导体层和位于所述第二p-型半导体层与所述第二i-型半导体层之间的第二缓冲层，所述第二缓冲层的氢含量高于所述第二i-型半导体层的氢含量。

13.如权利要求12所述的太阳能电池，其中所述第一缓冲层的厚度小于所述第一i-型半导体层的厚度，并且所述第二缓冲层的厚度小于所述第二i-型半导体层的厚度。

14.如权利要求12所述的太阳能电池，其中在所述第二缓冲层与所述第二i-型半导体层之间的结位置中的所述第二i-型半导体层的结晶度大于或等于在所述第二i-型半导体层与所述第二n-型半导体层之间的结位置中的所述第二i-型半导体层的结晶度的50％。

15.如权利要求14所述的太阳能电池，其中在所述第二缓冲层与所述第二i-型半导体层之间的所述结位置中的所述第二i-型半导体层的结晶度大于或等于在所述第二i-型半导体层与所述第二n-型半导体层之间的所述结位置中的所述第二i-型半导体层的结晶度的75％。

16.如权利要求12所述的太阳能电池，其中所述第二i-型半导体层的厚度大于所述第一i-型半导体层的厚度，并且所述第二缓冲层的厚度大于所述第一缓冲层的厚度。

17.如权利要求12所述的太阳能电池，其中所述第二i-型半导体层的厚度大于所述第一i-型半导体层的厚度，并且

所述第一缓冲层的氢含量高于所述第二缓冲层的氢含量。