[发明专利]CVD-Ru膜的形成方法和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080011219.1 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102349138A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 加藤多佳良;水泽宁;波多野达夫;五味淳;安室千晃;横山敦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C16/18;H01L21/285;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cvd ru 形成 方法 半导体 装置 制造 | ||
1.一种CVD-Ru膜的形成方法，其特征在于，包括：
使用含有有机金属化合物的成膜原料，通过CVD在基板上形成Ru膜的工序；和
对形成有所述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序。
2.如权利要求1所述的CVD-Ru膜的形成方法，其特征在于：
所述在含氢气氛中的退火在150～400℃进行。
3.如权利要求1所述的CVD-Ru膜的形成方法，其特征在于：
所述有机金属化合物包含羰合钌。
4.一种CVD-Ru膜的形成方法，其特征在于，包括：
使用含有有机金属化合物的成膜原料，通过CVD在基板上形成Ru膜的工序；
对形成有所述Ru膜的基板进行在不活泼气体气氛中的退火的工序；和
在所述不活泼气体气氛中的退火后，在大气中暴露所述Ru膜的工序。
5.如权利要求3所述的CVD-Ru膜的形成方法，其特征在于：
所述在不活泼气体气氛中的退火在150～400℃进行。
6.如权利要求4所述的CVD-Ru膜的形成方法，其特征在于：
所述有机金属化合物包含羰合钌。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
对具有沟和/或孔的基板形成金属阻挡膜的工序；
在所述金属阻挡膜上，使用含有有机金属化合物的成膜原料，通过CVD在基板上形成Ru膜的工序；
对形成有所述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序；和
在所述退火后的Ru膜上形成用于在沟和/或孔内埋入镀Cu的Cu晶种膜的工序。
8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述在含氢气氛中的退火在150～400℃进行。
9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述有机金属化合物包含羰合钌。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
对具有沟和/或孔的基板形成金属阻挡膜的工序；
在所述金属阻挡膜上，使用含有有机金属化合物的成膜原料，通过CVD在基板上形成Ru膜的工序；
对形成有所述Ru膜的基板进行在不活泼气体气氛中的退火的工序；
在所述不活泼气体气氛中的退火后，在大气中暴露所述Ru膜的工序；和
在所述退火后的Ru膜上形成用于在沟和/或孔内埋入镀Cu的Cu晶种膜的工序。
11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述在不活泼气体气氛中的退火在150～400℃进行。
12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述有机金属化合物包含羰合钌。
13.一种存储介质，存储在计算机上运行、用于控制处理装置的程序，其特征在于：
所述程序在执行时，在计算机中控制所述处理装置，使其执行半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：
对具有沟和/或孔的基板形成金属阻挡膜的工序；在所述金属阻挡膜上，使用含有有机金属化合物的成膜原料，通过CVD在基板上形成Ru膜的工序；对形成有所述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序；和在所述退火后的Ru膜上形成用于在沟和/或孔内埋入镀Cu的Cu晶种膜的工序。
14.一种存储介质，存储在计算机上运行、用于控制处理装置的程序，其特征在于：
所述程序在执行时，在计算机中控制所述处理装置，使其执行半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：
对具有沟和/或孔的基板形成金属阻挡膜的工序；在所述金属阻挡膜上，使用含有有机金属化合物的成膜原料，通过CVD在基板上形成Ru膜的工序；对形成有所述Ru膜的基板进行在不活泼气体气氛中的退火的工序；在所述不活泼气体气氛中的退火后，在大气中暴露所述Ru膜的工序；和在所述退火后的Ru膜上形成用于在沟和/或孔内埋入镀Cu的Cu晶种膜的工序。
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