[发明专利]调整等离子体处理系统无效
申请号: | 201080027738.7 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN102511072A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 布莱恩·崔;维甲压库马尔·C·凡尼高泊 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调整 等离子体 处理 系统 | ||
1.一种用于帮助调整等离子体处理室的系统,该系统包括:
至少存储有室调整程序的计算机可读介质,该室调整程序至少包括:
用于接收至少第一多个参数值和第二多个参数值的编码程序,所述第一多个参数值和第二多个参数值与与所述等离子体处理室的操作相关的多个参数相关,所述第一多个参数值和所述第二多个参数值来源于由多个传感器检测到的信号,该多个传感器被配置用于检测所述多个参数值,
编码程序,该编码程序利用所述第一多个参数值和所述第二多个参数值来根据第一套标准确认所述多个参数的当前值是否已经稳定,以及
编码程序,该编码程序利用所述第二多个参数值而不是所述第一多个参数值来根据第二套标准确定所述多个参数的当前值是否已经稳定在预定的范围内,该确定在所述多个参数的当前值已经根据所述第一套标准被确认已经稳定以后被执行;以及
成套的电路硬件,用于执行一个或多个与所述室调整程序相关的任务。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,
所述第一多个参数值来源于在处理第一晶片期间所检测到的第一信号,
所述第二多个参数值来源于在所述第二晶片期间所检测到的第二信号,以及
所述第二晶片在所述第一晶片被处理之后被处理。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一多个参数值和所述第二多个参数值来源于在处理同一晶片期间所检测到的信号。
4.根据权利要求1所述的系统,进一步包括编码程序,其用于计算与所述第一多个参数值和所述第二多个参数值之间的差值相关的相对度量。
5.根据权利要求1所述的系统,进一步包括编码程序,其利用所述第二多个参数值而不是所述第一多个参数值来计算绝对度量。
6.根据权利要求1所述的系统,进一步包括:
利用所述第一多个参数值来创建第一矢量的编码程序;
利用所述第二多个参数值来创建第二矢量的编码程序;
利用标准偏差值来测量所述第一矢量以产生第一测量的矢量的编码程序;以及
利用所述标准偏差值来测量所述第二矢量以产生第二测量的矢量的编码程序。
7.根据权利要求6所述的系统,进一步包括:
利用所述第一测量的矢量和所述第二测量的矢量来计算相对度量的编码程序,该相对度量被用于所述确认;以及
利用所述第二测量的矢量而不是所述第二测量的矢量来计算绝对度量的编码程序,该绝对度量被用于所述确定。
8.一种用于产生等离子体以至少处理晶片的等离子体处理系统,该等离子体处理系统包括:
用于容纳所述等离子体的等离子体处理室;
多个传感器,其用于检测与所述等离子体处理室的操作相关的多个参数;
计算机可读介质,其至少存储有室调整程序,该室调整程序至少包括:
编码程序,其用于至少接收第一多个参数值和第二多个参数值,该第一多个参数值和第二多个参数值与所述多个参数相关,该第一多个参数值和第二多个参数值来自于由所述多个传感器检测到的信号,
编码程序,该编码程序利用所述第一多个参数值和所述第二多个参数值来根据第一套标准确认所述多个参数的当前值是否已经稳定,以及
编码程序,该编码程序利用所述第二多个参数值而不是所述第一多个参数值来根据第二套标准确定所述多个参数的当前值是否已经稳定在预定的范围内,该确定在所述多个参数的当前值根据所述第一套标准已经被确认已经稳定之后被执行;以及
成套的电路硬件,其用于执行一个或多个与所述室调整程序相关的任务。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理系统,其中,
所述第一多个参数值来自于在处理第一晶片期间检测到的第一信号,
所述第二多个参数值来自于在处理第二晶片期间检测到的第二信号,以及
所述第二晶片在所述第一晶片已经被处理之后被处理。
10.根据权利要求8所述的等离子体系统,其中所述第一多个参数值和所述第二多个参数值来自于在处理同一晶片期间所检测到的信号。
11.根据权利要求8所述的等离子体处理系统,进一步包括编码程序,该编码程序用于计算与所述第一多个参数值和所述第二多个参数值之间的差值相关的相对度量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造