[发明专利]调整等离子体处理系统

说明书

发明背景

本发明涉及等离子体处理系统。特别地，本发明涉及等离子体处理系统的调整(seasoning)等离子体处理室。

等离子体处理系统，例如电容耦合等离子体(CCP)系统、电感耦合等离子体(ICP)系统和变压器耦合(TCP)等离子体系统，被用在各类工业中以在晶片上装配器件。例如，所述各类工业可包括半导体工业、磁读/写和存储工业、光学系统工业和微机电系统(MEMS)工业。等离子体处理系统可在等离子体处理室中产生和保持等离子体以在晶片上进行蚀刻和/或沉积从而使得可以在该晶片上形成器件特征(device features)。

有时候，关于一些重要的参数，在等离子体室停止操作一段时间后(例如由于一个或更多的工艺故障、闲置或等离子体处理系统的部件的预防性维护)，等离子体室需要恢复到稳定的、最佳的操作状态。将等离子体室恢复到稳定的、最佳的操作状态的过程通常被称为室调整(chamber seasoning)或CS。等离子体室通常需要被调整以确保在处理晶片时具有理想的性能。

所述CS过程通常包括处理一些调整晶片(也就是，一般的硅片)和采用传感器收集重要的处理工艺参数值以用于确定所述室的状态。传统的等离子体处理系统所包括的传感器通常是不充足的。因此，会无法得到与CS过程相关的一些重要的参数数据，导致不能正确地确定等离子体处理室的状态。

此外，传统的CS过程基本上依靠经验式的实验和专家经验。在一些实验后，有经验的专家会确定并建议需要在所述室中处理的调整晶片的数量以使该室进入稳定的、最佳的操作状态，或者调整的状态。

依据专家的经验，所述传统的CS过程可能不会以有系统的方式被执行。专家所推荐的调整晶片的数量可能是不准确的或者是非最理想的。如果太多的调整晶片在CS过程中被处理(这种情况被称为过度调整)，将会浪费大量时间(特别是需要用于执行计量(metrology)的时间)，相应地浪费了大量生产能力。如果太少的调整晶片在CS方法中被处理(这种情况被称为未充分调整)，那么具有非最佳重要处理参数值的未充分调整或未调整的等离子体处理室可能会被用来处理产品晶片，其中该产品晶片是相对高成本的薄晶片(filmed wafers)。结果，等离子体室的部件可能会被损坏，相当多数量的产品晶片可能需要被废弃和浪费，生产时间和其他的资源也可能会被浪费，和/或产量也会不理想。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于帮助调整等离子体处理室的系统。该系统包括计算机可读介质，该计算机可读介质至少存储室调整程序(或CS程序)。该CS程序可包括用于至少接收第一多个参数值和第二多个参数值的编码程序。所述第一多个参数值和所述第二多个参数值与与等离子体处理室的操作相关的参数相关。所述第一多个参数值和所述第二多个参数值可来自于由多个传感器检测到信号。所述多个传感器可被配置用于检测所述多个参数。所述CS程序还可包括利用所述第一多个参数值和所述第二多个参数值来根据第一套标准(其是一套容错标准)确认所述多个参数的当前值是否已稳定的编码程序。所述CS程序还可包括使用所述第二多个参数值而非所述第一多个参数值来根据第二套标准确定所述多个参数的当前值是否已稳定在预定的范围内。该确定可在所述多个参数的当前值根据所述第一套标准被确认已稳定以后被执行。该系统还可包括成套的电路硬件，用于执行与所述CS程序相关的一个或多个任务。

上述内容仅涉及本文所公开的本发明的多个实施例中的一个，并且并不是用来限制本发明的范围，本发明的范围由本文中的权利要求列出。本发明这些和其它特征将会结合以下附图在本发明的详细描述中更详细地描述。

附图说明

本发明在下面的附图中通过举例的方式而非限制的方式描述，并且在附图中相同的参考数字表示相同的元件，其中：

根据本发明的一个或多个实施例，图1显示了描述包括室调整系统(或CS系统)的等离子体处理系统的示意性框图。

根据本发明的一个或多个实施例，图2显示了示意性流程图，该流程图描述了与用于帮助调整等离子体处理室的CS系统相关的任务/步骤。

根据本发明的一个或多个实施例，图3A显示了一示意性的流程图，该流程图描述了用于确定基线信息(包括控制限度)的任务/步骤，所述基线信息用于帮助调整等离子体处理室。

根据本发明的一个或多个实施例，图3B显示了一示意性流程图，该流程图显示了在确定控制限度中用于计算参数值和相关的统计结果的任务/步骤，所述控制限度用于帮助调整等离子体处理室。