[发明专利]电平移位器和高电压逻辑电路

权利要求书

1.一种设备，其包括：

驱动器电路，其用以接收具有第一电压范围的输入信号，并提供具有不同于所述第一电压范围的第二电压范围的驱动信号；以及

锁存器，其耦合到所述驱动器电路且用以接收所述驱动信号并提供具有所述第二电压范围的输出信号。

2.根据权利要求1所述的设备，所述驱动器电路包括

控制信号产生器，其用以接收所述输入信号并提供具有大于所述第一电压范围和所述第二电压范围中的每一者的第三电压范围的控制信号，以及

锁存器驱动器，其耦合到所述控制信号产生器且用以接收所述控制信号并提供所述驱动信号。

3.根据权利要求1所述的设备，所述输入信号为包括Vinp和Vinn信号的第一差动信号，且所述驱动信号为包括Vdrp和Vdrn信号的第二差动信号。

4.根据权利要求3所述的设备，所述驱动器电路包括

第一反相器，其用以接收所述Vinp信号并提供第一中间信号，

第二反相器，其耦合到所述第一反相器且用以接收所述第一中间信号并提供第一控制信号，

第一金属氧化物半导体MOS晶体管，其耦合到所述第二反相器且用以接收所述第一控制信号并提供所述Vdrp信号，

第三反相器，其用以接收所述Vinn信号并提供第二中间信号，

第四反相器，其耦合到所述第三反相器且用以接收所述第二中间信号并提供第二控制信号，以及

第二MOS晶体管，其耦合到所述第四反相器且用以接收所述第二控制信号并提供所述Vdrn信号。

5.根据权利要求4所述的设备，所述第一反相器和所述第三反相器各自在所述第一电压范围之间操作，且所述第二反相器和所述第四反相器取决于所述输入信号的逻辑值而各自在所述第一电压范围或所述第二电压范围之间操作。

6.根据权利要求4所述的设备，所述第二反相器将所述第一中间信号和所述Vdrp信号作为供应电压接收，且所述第四反相器接收所述第二中间信号和所述Vdrn信号作为供应电压。

7.根据权利要求4所述的设备，当所述输入信号具有第一逻辑值时，所述第二反相器在所述第一电压范围之间操作并向所述第一控制信号提供第一电压，当所述输入信号具有第二逻辑值时，所述第二反相器在所述第二电压范围之间操作并向所述第一控制信号提供第二电压，所述第一电压和所述第二电压界定大于所述第一电压范围和所述第二电压范围中的每一者的第三电压范围。

8.根据权利要求4所述的设备，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管为N沟道MOS NMOS晶体管，其具有耦合到所述第二电压范围的高电压的漏极和分别提供所述Vdrp信号和所述Vdrn信号的源极。

9.根据权利要求4所述的设备，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管为P沟道MOS PMOS晶体管，其具有耦合到所述第二电压范围的低电压的漏极和分别提供所述Vdrp信号和所述Vdrn信号的源极。

10.根据权利要求1所述的设备，所述第一电压范围与所述第二电压范围不重叠。

11.根据权利要求1所述的设备，所述第一电压范围涵盖正电压的范围，且所述第二电压范围涵盖负电压的范围。

12.根据权利要求1所述的设备，所述第一电压范围涵盖正电压的第一范围，且所述第二电压范围涵盖不同于正电压的所述第一范围的正电压的第二范围。

13.根据权利要求1所述的设备，所述驱动器电路和所述锁存器是用具有击穿电压的金属氧化物半导体MOS晶体管来实施，所述第一电压范围和所述第二电压范围中的每一者小于所述击穿电压。

14.一种方法，其包括：

接收具有第一电压范围的输入信号；

基于所述输入信号而产生具有第二电压范围的驱动信号，所述第二电压范围不同于所述第一电压范围；以及

锁存所述驱动信号以获得具有所述第二电压范围的输出信号。