[发明专利]光电子半导体芯片和用于匹配用于电接触光电子半导体芯片的接触结构的方法

说明书

本申请要求德国专利申请10 2009 047 889.2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。

本发明涉及一种具有半导体功能区域和用于电接触光电子半导体芯片的接触结构以及匹配用于电接触光电子半导体芯片的接触结构的方法。

从Si技术中已知所谓的“熔丝”。熔丝是印制导线结构，其如保险丝一样通过有针对性地提高电流通量来烧断，也就是说，转换为绝缘状态。该有针对性的烧断还称作“编程”。由此可以事后单独地改变接线。这种熔丝例如用于，当例如出现的电流通量超过预设值时，使得电路布置或其区域失效。熔丝通常是到晶体管的印制导线，所述晶体管能够在其功能方面借助于可编程的熔丝来匹配。

从GB 2381381和DE 10 2004 025 684中已知改变具有多个半导体功能区域的光电子半导体芯片的接触结构的方案。该接触结构能够与有缺陷的半导体功能区域中离，使得该半导体功能区域永久失效。由此，在单个半导体功能区域有缺陷时仍实现光电子芯片的功能性。

希望的是，实现将用于光电子半导体芯片的接触结构匹配于预设的工作参数，如例如预设的供给电压。

该目的通过具有权利要求1的特征的光电子半导体芯片以及具有并列的方法权利要求的特征的方法来实现。

光电子半导体芯片包括具有第一端子和第二端子的第一半导体功能区域以及导电地与第一半导体功能区域连接的、用于电接触光电子半导体芯片的接触结构。接触结构具有可分开的导体结构，其中在没有分开的导体结构中通过第一半导体功能区域的第一端子和第二端子确定工作电流路径，所述工作电流路径在分开的导体结构中中断。替选地，在分开的导体结构中通过第一半导体功能区域的第一端子和第二端子确定工作电流路径，其中在没有分开的导体结构中导体结构将第一端子与第二端子连接并且将第一半导体功能区域短路。

当导体结构在没分开的导体结构中将第一端子与第二端子连接时，第一半导体功能区域短路，或者失效。“短路”理解为，在将供给电压施加到半导体芯片上时，在半导体功能区域上也没有施电势差，或者仅有近乎消失的电势差。半导体功能区域不能工作。

通过导体结构的分开，将短路的第一半导体功能区域转移到其能工作的状态中。短路被解除。有利的是，在将供给电压施加到半导体芯片上时，在半导体功能区域上降落足够的电压，以便驱动半导体芯片，使得例如发射电磁辐射。

半导体功能区域能够是在器件之内的模块化部件。然而有利的是，半导体芯片包括作为集成电路的一部分的半导体功能区域，如其能够在晶圆复合物中来制造。晶圆复合物包括设置用于构成半导体功能区域的至少一部分的、设置在支承体层上的半导体层序列，此后，结构化半导体层序列，使得形成多个半导体功能区域。半导体功能区域能够具有一个或多个产生辐射的部分区或者单元。这些部分区或者单元能够例如串联连接。还能够考虑并联电路或者串联电路和并联电路的组合。

接触结构提供到半导体功能区域的导电连接，并且，如果该半导体功能区域能工作，则该接触结构将对于驱动半导体功能区域所需的电压施加到该半导体功能区域上。在半导体功能区域的端子上可以施加电势。通过经过半导体功能区域的端子施加工作电压，该半导体功能区域能够工作。端子能够是半导体功能区域的如下区域，接触结构以到所述区域上的方式引向半导体功能区域上。

第一半导体功能区域能够通过并连接通的导体结构短路、即跨接。短路能够通过分开导体结构来解除。“分开”包括在导体结构之内构成绝缘间隙，使得将导电连接转入绝缘状态中。

导体结构包括可分开的区域，所述可分开的区域例如在其造型方面与剩余的接触结构不同，以便简化这些区域的识别并且避免不希望的分开，以使所需要的接触结构工作。导体结构的可分开的区域的设置还能够示为熔丝技术类型，其匹配并且应用于分段的多像素LED。可分开的导体结构能够处在分开的状态中或者处在没有分开的状态中。有利的是，所述导体结构仅能一次性地从没有分开的状态转入分开的状态，这是不可逆的。

通过由于将导体结构分开而改变接触结构的方式，这种光电子半导体芯片例如匹配于预设的供给电压。

有利的是，半导体功能区域包括设置用于辐射产生或者用于辐射接收的有源区。发射尤其是可见的、紫外的和/或红外的光的电磁辐射的这种半导体功能区域设置在LED芯片中。在LED芯片中，发射的半导体功能区域还表示为像素。LED芯片能够包括多个像素。

可接通的像素能够连接在具有多个像素的布置的下游。这种布置例如能够在芯片层面上通过多个LED半导体功能区域的像素化产生。所述多个半导体功能区域的像素能够串联连接。这种布置还表示为高压LED。