[发明专利]用于增加存储器密度的方法、结构及装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其包含：

多个晶体管，其安置于衬底上，所述多个晶体管中的每一晶体管电耦合到一字线及一位线，所述字线与所述位线在至少一个节点处彼此相交；

多个存储器串，其安置于多个存储器单元上方，每一存储器串包含多个二极管；及

电极，其将所述多个存储器串中的至少两者电连接到所述至少一个节点，所述多个二极管布置于沿所述电极的长度间隔的位置处。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述电极包含金属接触插脚，所述金属接触插脚具有安置于其侧壁上的金属或陶瓷材料中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述电极包含相变材料。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储器串中的每一者进一步包含安置于所述多个二极管与所述电极之间的至少一种势垒材料。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述多个二极管中的每一者包含安置于经相反掺杂区之间的本征区，所述本征区及所述经相反掺杂区垂直于所述衬底的主平面延伸。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述多个二极管在第一方向上对准以形成多个列且在大致垂直于所述第一方向的第二方向上对准以形成多个行。

7.一种半导体结构，其包含上覆于衬底上且彼此上下垂直叠加以形成多个列的多个二极管，所述多个二极管中的每一者包含安置于经相反掺杂区之间的本征区，邻近列的所述多个二极管互为镜像。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其进一步包含安置于所述多个列中的至少两者之间的电极。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其进一步包含下伏于所述多个二极管下且包含多个晶体管的晶体管阵列，所述多个晶体管中的每一者安置于所述衬底中的源极区与漏极区之间且电耦合到一单元插脚。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述多个列中的一者中的所述多个二极管中的每一者与所述多个列中的另一者中的所述多个二极管中的每一者大致水平对准。

11.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述经相反掺杂区中的至少一者及所述本征区沿所述衬底的长度在大致垂直于所述多个列的方向上延伸。

12.一种形成半导体结构的方法，其包含：

形成多个交替的第一区与第二区以在上覆于晶体管阵列上的基础材料上方形成单元堆叠，所述晶体管阵列包含电耦合到多个单元插脚的多个晶体管；

移除所述第一区及第二区的经由掩模暴露的部分以形成从中穿过的多个第一狭槽，所述多个第一狭槽中的每一者上覆于所述多个单元插脚中的一者上；

将掺杂剂引入到所述第一区的经暴露部分以形成多个第一经掺杂区；

在所述多个第一经掺杂区中的每一者上方形成硅化物材料；

在所述半导体结构上方形成填充材料以至少填充所述多个第一狭槽；

移除所述第一区及第二区的经由另一掩模暴露的部分以形成与所述多个第一狭槽中的每一者横向间隔开的多个第二狭槽；及

将掺杂剂引入到所述第一区的经暴露部分以形成多个第二经掺杂区，所述第一区的本征区安置于所述多个第二经掺杂区与所述多个第一经掺杂区之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成多个交替的第一区与第二区以在上覆于晶体管阵列上的基础材料上方形成单元堆叠包含：

将包含结晶硅的晶片附接到所述基础材料；及

分离所述晶片的一部分以留下上覆于所述基础材料上的第一半导电区。

14.根据权利要求12所述的方法，其中移除所述第一区及第二区的经由另一掩模暴露的部分以形成多个第二狭槽包含：

在所述填充材料的突出区上形成间隔件；

在所述间隔件上方形成至少一种材料，所述至少一种材料具有暴露所述单元堆叠的在所述第一狭槽之间的部分的多个开口；及

移除所述单元堆叠的所述经暴露部分以形成所述多个第二狭槽。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在所述填充材料的突出区上形成间隔件包含形成具有足以上覆于所述第一经掺杂区上的宽度的所述间隔件。