[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置无效
申请号: | 201080051487.6 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102598319A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 粟饭原范行;竹内良一;村木典孝 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/30 | 分类号: | H01L33/30 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 照明 装置 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,具备:
含有活性层的发光部,所述活性层具有组成式为(AlXGa1-X)As的阱层和势垒层的叠层结构并发出红外光,其中,0≤X≤1;
形成于所述发光部上的电流扩散层;和
与所述电流扩散层接合的功能性基板。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述功能性基板相对于发光波长是透明的。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述功能性基板由GaP、蓝宝石或SiC构成。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述功能性基板的侧面,在接近所述发光部的一侧具有相对于主要的光取出面大致垂直的垂直面,在远离所述发光部的一侧具有相对于所述主要的光取出面向内侧倾斜的倾斜面。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述倾斜面含有粗糙的面。
6.一种发光二极管,其特征在于,具备:
含有活性层的发光部,所述活性层具有组成式为(AlXGa1-X)As的阱层和势垒层的叠层结构并发出红外光,其中,0≤X≤1;
形成于所述发光部上的电流扩散层;和
包含与所述发光部相对地配置的、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层,并与所述电流扩散层接合的功能性基板。
7.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于,所述功能性基板包含由硅或锗构成的层。
8.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于,所述功能性基板包含金属基板。
9.根据权利要求8所述的发光二极管,其特征在于,所述金属基板包含多个金属层。
10.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述电流扩散层由GaP构成。
11.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述电流扩散层的组成式为(AlXGa1-X)As,其中,0≤X≤0.5。
12.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述电流扩散层的厚度为0.5~20μm的范围。
13.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,在发光二极管的所述主要的光取出面侧设置有第1电极和第2电极。
14.根据权利要求13所述的发光二极管,其特征在于,所述第1电极和所述第2电极是欧姆电极。
15.根据权利要求13所述的发光二极管,其特征在于,在所述功能性基板的、所述主要的光取出面侧的相反侧的面上还具备第3电极。
16.一种发光二极管灯,其特征在于,具备权利要求1所述的发光二极管。
17.一种发光二极管灯,其特征在于,具备权利要求15所述的发光二极管,所述第1电极或第2电极、与所述第3电极大致相同电位地连接。
18.一种照明装置,搭载有多个权利要求1所述的发光二极管。
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