[发明专利]用于使用量子点涂覆来修复发光二极管的方法和装置

说明书

技术领域

本发明总体涉及用于修复发光二极管（LED）的方法和装置，并且，更具体地涉及这样的用于修复LED的方法和装置，其测量所制造的LED的照明特性值并且利用量子点混合物溶液来涂覆根据所述照明特性值的水平而分类的LED，从而形成量子点层，因此，将所制造的LED修复成具有改进的照明颜色或亮度的无缺陷产品，并且提高了生产率。

背景技术

LED是基于诸如GaN的III-V族氮化物半导体而制造的。这样的LED基本是通过将P型氮化物半导体层和N型氮化物半导体层彼此结合而制造的，所述P型氮化物半导体层和N型氮化物半导体层是通过将P型或N型杂质添加到上述氮化物半导体中而形成的。活性层介于P型氮化物半导体层与N型氮化物半导体层之间，从而增加了电子-空穴的再结合率，因此提高了LED的照明特性。

如图1所示，典型的LED被制造成使得P型氮化物半导体层和N型氮化物半导体层分别连接至两个外部电极，并且能量被施加至两个电极时的LED能够发出可见波长的光。

另外，已经试图将量子点层合适地插入上述由P型氮化物半导体层、活性层和N型氮化物半导体层构成的基本LED结构的适当位置中，以便改进照明特性或改变照明颜色。

而且，如图2所示，能够制造这样的LED，其中，上述多层结构被涂覆以荧光层。具有上述结构的LED能够改进照明特性。而且，能够制造这样的LED，其中，上述多层结构被涂覆以量子点层。具有这种结构的LED能够改变照明颜色或改进照明特性。例如，在图3的结构中，对具有在涂覆量子点层之前用于发射蓝色波长光的结构的LED涂覆发射黄色波长光所需的量子点层，从而LED可变成用于发射白色波长光的LED。

这样，除了由P型氮化物半导体层、活性层和N型氮化物半导体层构成的LED的基本结构以外，可以利用如下结构来制造LED，在该结构中，将量子点层插入这种基本LED结构的合适位置中。而且，上述半导体层中的最上层的外表面被涂覆以荧光层或量子点层，使得能够制造具有变化的照明颜色的高亮度LED。

但是，在制造具有变化结构的LED的情况下，当能量被施加至LED并且在已经完成全部制造过程之后的产品质量测试阶段中利用光电探测器来测量从LED发出的光的照明强度时，一部分的LED被确定为有缺陷的。LED的生产率影响着其售价。因此，为了以低成本生产具有高照明效率的LED，需要减少有缺陷产品，从而使得被确定为有缺陷的LED能够通过改进缺陷LED的颜色或照明特性而得到利用。

发明内容

技术问题

因此，针对现有技术中出现的上述问题而做出了本发明，并且本发明的目的在于提供一种用于修复LED的方法和装置，其测量所制造的LED的照明特性值并且利用量子点混合物溶液来涂覆根据照明特性值的水平而分类的LED，从而形成量子点层，因此，将所制造的LED修复成作为具有改进照明颜色或亮度的无缺陷产品的LED，并且提高了生产率。

技术方案

根据本发明的一个方面，提供一种修复发光二极管（LED）的方法，包括：a）测量LED的照明特性值并且确定所测量的照明特性值的照明水平；b）确定对应于所述照明水平的修复量子点；以及c）在所述LED的最上层上形成对应于所述修复量子点的量子点层。

优选地，在b）中，当所述照明水平等于或大于参考照明水平时，将所述LED分类为无缺陷产品，而当所述照明水平小于所述参考照明水平时，将所述LED分类为有缺陷产品，并且进而确定所述LED的对应于所述照明水平的修复量子点。

优选地，该方法可以进一步包括：在c）之后，重新测量其上已经形成有所述量子点层的所述LED的照明特性值，并且确定重新测量的照明特性值的照明水平是否等于或大于所述参考照明水平。

优选地，c）可以包括：利用对应于所述修复量子点的量子点混合物溶液来涂覆所述LED的最上层；以及干燥所述量子点混合物溶液。

优选地，所述方法可以进一步包括，在c）之后，在所述量子点层上形成由透明材料制成的保护膜。