[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

结晶硅层；

包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和

与所述结晶硅层电连接的一对电极；其中：

所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起在基板上按照所描述的顺序形成的；

所述氧化钛层和所述结晶硅层相互接触。

2.按照权利要求1所述的半导体器件，还包括在基板上形成的栅极绝缘层和栅电极层，其中：

所述一对电极包括源电极层和漏电极层；

栅电极层、所述栅极绝缘层和所述氧化钛层是按照所描述的顺序堆叠的；和

所述结晶硅层在与基板相反的侧与源电极层和漏电极层欧姆接触。

3.按照权利要求1所述的半导体器件，还包括在基板上形成的栅电极层，其中：

所述一对电极包括源电极层和漏电极层；

所述栅电极层和所述氧化钛层是按照所描述的顺序堆叠的；

所述氧化钛层还起栅极绝缘层的作用；和

所述结晶硅层在与基板相反的侧与源电极层和漏电极层欧姆接触。

4.按照权利要求1所述的半导体器件，还包括在基板上形成的栅极绝缘层和栅电极层，其中：

所述一对电极包括源电极层和漏电极层；

所述结晶硅层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层是按照所描述的顺序堆叠的；和

所述结晶硅层在基板侧与源电极层和漏电极层欧姆接触。

5.按照权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述结晶硅层具有PN结、PIN结、异质结和肖特基接触之一；和

在所述一对电极之中，一个电极在基板侧电连接到所述结晶硅层，另一个电极在与基板相反的侧电连接到所述结晶硅层。

6.一种半导体器件的制造方法，包括：

形成包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和

利用气相生长法形成结晶硅层，所述结晶硅层是与所述氧化钛层接触地形成的。

7.按照权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中利用气相生长法形成结晶硅层包括利用CVD法形成硅层和施加氢等离子体，形成硅层和施加氢等离子体是交替重复的。