[发明专利]多功能触摸和/或近接传感器有效

专利信息
申请号: 201080055949.1 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102934359B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 安德烈亚斯·居特 申请(专利权)人: 微晶片科技德国公司
主分类号: H03K17/955 分类号: H03K17/955;H03K17/96;G01D5/24;G01V3/08;G06F3/01
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 德国伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 多功能 触摸 传感器
【权利要求书】:

1.一种传感器装置,其包括

至少一个第一传感器元件(KS),其用于检测触摸和/或接近,其被配置为电容性传感器元件且其包括第一电极结构,所述第一电极结构包括发射电极(SE)和接收电极(EE),其中由所述发射电极(SE)发射的第一交变电场(WS)可耦合到所述接收电极(EE)中,

至少一个第二传感器元件(AS),以及

评估装置(A),其与所述至少一个第一传感器元件(KS)且与所述至少一个第二传感器元件(AS)耦合,其中所述评估装置(A)经配置以评估从所述第一传感器元件(KS)的所述接收电极(EE)分接的第一信号(S1)和由所述第二传感器元件(AS)提供的至少一个第二信号(S2),且依据所述评估而产生至少一个检测信号(DS)。

2.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述第一电极结构包括补偿电极(KE),其中所述评估装置(A)包括信号产生器(G),以用于向所述发射电极(SE)供应第一交变电信号(WS1)且用于向所述补偿电极(KE)供应第二交变电信号(WS2),其中由所述补偿电极(KE)发射的第二交变电场(WK)可耦合到所述接收电极(EE)中。

3.根据权利要求2所述的传感器装置,其中所述补偿电极(KE)实质上布置于所述发射电极(SE)与所述接收电极(EE)之间。

4.根据权利要求2或3所述的传感器装置,其中所述第二交变电信号(WS2)与所述第一交变电信号(WS1)有相位差。

5.根据权利要求2到4中任一权利要求所述的传感器装置,其中所述第一传感器元件(KS)包括第二电极结构,其中所述第二电极结构包括许多场感测电极(FE),其中所述接收电极(EE)、所述发射电极(SE)、所述补偿电极(KE)和所述场感测电极(FE)以一方式彼此相对布置,使得

由所述发射电极(SE)发射的所述第一交变电场(WS)还可耦合到所述场感测电极(FE)中的至少一者中,且

由所述补偿电极(KE)发射的所述第二交变电场(WK)可实质上仅耦合到所述接收电极(EE)中,

其中所述评估装置(A)经配置以评估从所述场感测电极(FE)中的至少一者分接的第三信号(S3)。

6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的传感器装置,其中所述第一交变电信号(WS1)的振幅大于所述第二交变电信号(WS2)的振幅。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的传感器装置,其中对象对所述第一电极结构的接近导致从所述接收电极(EE)分接的所述第一信号(S1)的电平的改变,所述电平改变指示所述对象对所述第一电极结构的所述接近。

8.根据权利要求7所述的传感器装置,其中所述对象对所述第二电极结构的额外接近导致从所述场感测电极(FE)分接的所述至少一个第三信号(S3)的电平的改变,其中所述第三信号(S3)的所述电平改变指示所述对象正接近所述第一电极结构和所述第二电极结构两者。

9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的传感器装置,其中至少一个辅助电极(HE)被指派给所述场感测电极(FE)中的一者,其中所述辅助电极(HE)可以电流方式或以电容方式与所述至少一个场感测电极(FE)耦合。

10.根据权利要求5到9中任一权利要求所述的传感器装置,其中从所述场感测电极(FE)分接的所述第三信号(S3)可通过时分多路复用方法来评估。

11.根据前述权利要求中任一权利要求所述的传感器装置,其中所述第二传感器元件(AS)包括位置传感器、加速度传感器、光电传感器和温度传感器中的至少一者。

12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的传感器装置,其中所述传感器装置可布置于电动手持式装置中。

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