[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：

激光器构造体，其包含由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及

电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，

上述半导体区域包含由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，

上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，

上述活性层包含氮化镓系半导体层，

上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴相对于上述法线轴而向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向以有限的角度ALPHA倾斜，上述角度ALPHA在45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围，

上述激光器构造体包含与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所界定的m-n面交叉的第1及第2切断面，

该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1及第2切断面，

上述激光器构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，

上述半导体区域位于上述第2面与上述支撑基体之间，

上述第1及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，

上述激光器构造体的上述支撑基体在上述第1切断面具有设于上述第1面的上述边缘的一部分上的凹部，该凹部自上述支撑基体的背面延伸，且该凹部的末端与上述激光器构造体的上述第2面的边缘相隔。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

在上述第1及第2切断面各自呈现上述支撑基体的端面及上述半导体区域的端面，

上述半导体区域的上述活性层的端面与正交于由上述六方晶系氮化物半导体构成的支撑基体的m轴的基准面所成的角度，在由上述III族氮化物半导体的c轴及m轴所界定的第1平面上成(ALPHA-5)度以上(ALPHA+5)度以下的范围的角度。

3.如权利要求2所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述角度在与上述第1平面及上述法线轴正交的第2平面上处于-5度以上+5度以下的范围。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述支撑基体的厚度为400μm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述支撑基体的厚度为50μm以上100μm以下。

6.如权利要求4或5所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述激光器构造体的上述凹部到达上述半导体区域。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度在63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，来自上述活性层的激光向上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴的方向偏光。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

该III族氮化物半导体激光器元件的LED模式下的光在上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴的方向包含偏光分量I1、并在将上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴投影至主面的方向包含偏光分量I2，且

上述偏光分量I1大于上述偏光分量I2。

10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述半极性主面是自{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及{10-1-1}面中的任一个以-4度以上+4度以下的范围倾斜的微倾斜面。

11.如权利要求1至10中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述半极性主面是{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及{10-1-1}面中的任一个。