[发明专利]等离子体源的设计

权利要求书

1.一种耦接至处理腔室的等离子体源，其特征在于，包含：

核心元件，所述核心元件具有第一端、第二端以及核心元件中心轴；

第一等离子体块体，所述第一等离子体块体具有一个或多个表面，所述表面至少部分包围第一环形等离子体生成区域，其中所述第一环形等离子体生成区域布置在环绕所述核心元件的第一部分处；以及

线圈，所述线圈布置于所述核心元件的一部分上方。

2.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

所述处理腔室的壁，所述壁具有：

第一入口，所述第一入口与所述第一环形等离子体生成区域流体连通；以及

第二入口，所述第二入口与第二环形等离子体生成区域流体连通，所述第二环形等离子体生成区域布置在环绕所述核心元件的第二部分处，其中所述第一入口与第二入口二者皆与所述处理腔室的处理区域流体连通。

3.如权利要求2所述的等离子体源，其特征在于，所述核心元件的所述第一部分具有第一直径，而所述核心元件的所述第二部分具有第二直径，其中所述第一直径和所述第二直径不同。

4.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

外壳，所述外壳具有入口与出口，其中所述核心元件布置在所述外壳的内部区域内；以及

热交换组件，所述热交换组件被配置以引发温控的流体流过所述外壳的所述入口、所述内部区域以及所述出口。

5.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

致动器，所述致动器被配置以相对所述第一环形等离子体生成区域移动所述核心元件。

6.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述第一等离子体块体包含材料，所述材料选自由氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)与氮化硼(BN)所构成的群组。

7.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述线圈布置于所述核心元件的一部分的上方，所述部分在所述第一端，或者在布置于所述第一和第二端之间的中间位置。

8.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

多个永久磁体，所述永久磁体布置在所述核心元件与所述第一环形等离子体生成区域之间。

9.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

RF功率源，所述RF功率源耦接至所述线圈；以及

等离子体重新分配线圈，所述等离子体重新分配线圈布置在所述第一环形等离子体生成区域的至少一部分周围，并且耦接至DC功率源。

10.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述核心元件具棒状。

11.如权利要求第1项所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

电极，所述电极布置在邻近所述第一环形等离子体生成区域处；以及

第一功率源，所述第一功率源电气耦接至所述线圈与所述电极。

12.一种耦接至处理腔室的等离子体源，其特征在于，包含：

核心元件，所述核心元件包含第一端、第二端以及核心元件中心轴；

第一等离子体块体，所述第一等离子体块体具有一个或多个表面，所述表面至少部分包围第一环形等离子体生成区域，其中所述第一环形等离子体生成区域布置在环绕所述核心元件的第一部分处，并且具有大体上和所述核心元件中心轴重合的中心轴；

第二等离子体块体，所述第二等离子体块体具有一个或多个表面，所述表面至少部分包围第二环形等离子体生成区域，其中所述第二环形等离子体生成区域布置在环绕所述核心元件的第二部分处，并且具有大体上和所述核心元件中心轴重合的中心轴；以及

线圈，所述线圈布置于所述核心元件的一部分上方。

13.如权利要求12所述的等离子体源，其特征在于，进一步包含：

冷却板，所述冷却板耦接至所述第一等离子体块体的表面。