[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201080067145.3 | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102934236A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 沈玖奂;朴昶绪;尹必源;秦胤实;金珍圣;崔荣嫮;张在元 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:
基板,所述基板包括均匀的第一表面;
发射层,所述发射层设置在所述基板的所述第一表面处;
第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述发射层的表面上,所述第一抗反射层包括露出所述发射层的一部分的多条第一接触线;
第一电极,所述第一电极电连接至通过所述多条第一接触线露出的所述发射层,所述第一电极包括与所述发射层直接接触的电镀层;以及
第二电极,所述第二电极设置在所述基板的第二表面上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一电极具有约0.83比1的深宽比。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中,所述多条第一接触线各自具有约20μm至60μm的宽度。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述多条第一接触线各自的平面区域是所述发射层的平面区域的约2%至6%。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述第一电极具有约20μm至50μm的厚度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述基板的所述第一表面和所述第二表面被纹理化,以分别形成第一纹理表面和第二纹理表面。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一抗反射层包括氮化硅层以及设置在所述发射层和所述氮化硅层之间的氧化硅层或氧化铝层。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,由掺杂有磷(P)的n型硅晶圆形成所述基板。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,所述太阳能电池还包括:
背面场层,所述背面场层设置在所述基板的所述第二表面处;以及
第二抗反射层,所述第二抗反射层设置在所述背面场层的其上没有设置所述第二电极的表面上。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述第一电极和所述第二电极由不同的材料形成。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述第二电极的宽度大于所述第一电极的宽度。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述电镀层包括:金属种层,所述金属种层与所述发射层直接接触并且包含镍;以及至少一个导电层,所述至少一个导电层设置在所述金属种层上并且包含从由以下各项组成的组中选出的至少一项:铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合;并且
所述第二电极由银(Ag)形成。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述第二抗反射层包括氮化硅层。
14.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述第二抗反射层包括露出所述背面场层的一部分的多条第二接触线。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池,其中,所述多条第二接触线各自具有约40μm至100μm的宽度。
16.根据权利要求14所述的太阳能电池,其中,所述多条第二接触线各自的平面面积是所述背面场层的平面面积的约5%至15%。
17.根据权利要求14所述的太阳能电池,其中,所述第二电极包括:金属种层,所述金属种层与通过所述多条第二接触线露出所述背面场层直接接触;以及至少一个导电层,所述至少一个导电层设置在所述金属种层的背面上。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池,其中,所述第一电极和所述第二电极各自的所述金属种层包含镍,
其中,所述第一电极和所述第二电极各自的所述至少一个导电层包含从由以下各项组成的组中选出的至少一项:铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080067145.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多角度绝缘瓶紧固杆
- 下一篇:汽车油箱托架紧固螺栓专用工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的