[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201080067145.3 | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102934236A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 沈玖奂;朴昶绪;尹必源;秦胤实;金珍圣;崔荣嫮;张在元 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
利用光电转换效应将光能转换成电能的太阳能发电已被广泛地用作获得环境友好的能量的方法。由于太阳能电池的光电转换效率的改善,已经可以将使用多个太阳能电池板的太阳能发电系统安装在室内。
太阳能电池通常包括基板以及与基板一起形成pn结的发射层,从而由通过基板的一个表面入射到太阳能电池上的光来产生电流。
因为光通常仅通过基板的一个表面入射到太阳能电池上,所以太阳能电池的电流转换效率低。因此,最近已经开发了光通过基板的两个表面入射到太阳能电池上的双面光接收太阳能电池。
发明内容
要解决问题的方案
在一个方面,公开了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:基板,所述基板包括均匀的第一表面;发射层,所述发射层设置在所述基板的所述第一表面处;第一抗反射层,所述第一抗反射层设置在所述发射层的表面上,所述第一抗反射层包括露出所述发射层的一部分的多条第一接触线;第一电极,所述第一电极电连接至通过所述多条第一接触线露出的所述发射层,所述第一电极包括与所述发射层直接接触的电镀层;以及第二电极,所述第二电极设置在所述基板的第二表面上。
所述多条第一接触线各自具有约20μm至60μm的宽度,且所述多条第一接触线各自的平面区域是所述发射层的平面区域的约2%至6%。所述第一电极具有约20μm至50μm的厚度。因此,所述第一电极具有窄的宽度和高的深宽比,例如,约0.83比1的深宽比。
所述基板的所述第一表面和所述第二表面可以被均匀地纹理化,以分别形成第一纹理表面和第二纹理表面。
所述第一抗反射层可以包括氮化硅层以及设置在所述发射层和所述氮化硅层之间的氧化硅层或氧化铝层。所述基板可以由掺杂有磷(P)的n型硅晶圆形成。
所述太阳能电池还可以包括:背面场层,所述背面场层设置在所述基板的所述第二表面处;以及第二抗反射层,所述第二抗反射层设置在其上没有设置所述第二电极的所述背面场层的表面上。
所述第一电极和所述第二电极可以由不同的材料形成。例如,可以用于形成所述第一电极的电镀层可以包括金属种层,所述金属种层与所述发射层直接接触并且包含镍;以及至少一个导电层,所述至少一个导电层设置在所述金属种层上并且包含从由以下各项组成的组中选出的至少一种:铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合。所述第二电极可以由银(Ag)形成。
所述第二电极的宽度可以大于所述第一电极的宽度。所述第二抗反射层可以包括氮化硅层。
一种用于制造具有上述配置的太阳能电池的方法,所述方法可以包括:将基板的第一表面和第二表面纹理化以分别形成第一纹理表面和第二纹理表面;在所述基板的所述第一表面处形成发射层,并且在所述基板的所述第二表面处形成背面场层;在所述发射层的表面上形成第一抗反射层,并且在所述背面场层的表面上形成第二抗反射层;在所述第一抗反射层上形成多条第一接触线;在所述第二抗反射层的表面上形成第二电极;以及在所述多条第一接触线上形成第一电极,其中,所述第一电极和所述第二电极由不同的材料形成。
用于形成所述多条第一接触线的工艺可以使用湿法蚀刻工艺或利用了激光的干法蚀刻工艺。更具体而言,所述多条第一接触线的形成可以包括使用利用了激光的干法蚀刻工艺蚀刻第一抗反射层并且使用湿法蚀刻工艺去除由激光产生的发射层的受损伤的层。
用于形成所述第二电极的工艺可以包括在所述第二抗反射层的表面上印刷通过将银(Ag)和玻璃料混合所获得的导电胶以及干燥和烘烤所述导电胶。所述第一电极的形成可以包括形成与所述发射层直接接触的金属种层以及在所述金属种层上形成至少一个导电层。
而且,所述第二抗反射层可以包括露出所述背面场层的一部分的多条第二接触线。所述多条第二接触线各自可以具有约40μm至100μm的宽度。所述多条第二接触线各自的平面面积可以是所述背面场层的平面面积的约5%至15%。
所述第二电极可以包括:金属种层,所述金属种层与通过所述多条第二接触线露出所述背面场层直接接触;以及至少一个导电层,所述至少一个导电层设置在所述金属种层的背面上。所述第一电极和所述第二电极可以具有相同的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的