[发明专利]包括六边形晶体的纳米结构的光电器件

权利要求书

1.一种光电器件，包括：

-第一导电层(22)，

-第二导电层(24)，

-在第一导电层和第二导电层之间的激励层(26)，其中，

所述激励层(26)包括选自碳族的元素和元素合金的六边形类型晶体的纳米尺寸结构。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述至少部分六边形类型晶体的纳米结构具有层结构。

3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述至少部分六边形类型晶体的纳米结构具有单纤维结构。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电器件，其特征在于，所述至少部分六边形类型晶体的纳米结构具有点状结构。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电器件，其特征在于，所述至少部分的六边形类型晶体的纳米结构在至少一个方向上承受应力。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电器件，其特征在于，所述激励层具有大于或等于10nm以及小于或等于1000nm的厚度。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电器件，其特征在于，所述碳族元素为硅。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电器件，其特征在于，所述第一导体层的电子亲和力小于激励层的电子亲和力以及第二导电层的电离能大于激励层的电离能。

9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括在激励层和第一导电层之间的第一阻隔层(27)，所具有的电子亲和力等于激励层的电子亲和力以及所具有的电离能小于激励层的电离能，所述光电器件还包括激励层和第二导电层之间的阻隔层(28)，所具有的电子亲和力大于激励层电子亲和力以及所具有的电离能大致等于激励层的电离能。

10.根据权利要求8或9所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件构成为光电管。

11.根据权利要求8或9所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件构成为光传感器。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的光电器件，其特征在于，所述第一导电层所具有的电子亲和力大于激励层的电子亲和力以及所具有的电离能小于激励层的电离能。

13.根据权利要求12所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括在激励层和第一导电层之间的第一阻隔层(27)，所具有的电子亲和力大致等于导电层的电子亲和力以及所具有的电离能小于激励层的电离能，所述光电器件还包括激励层和导电层之间的第二阻隔层(28)，所具有的电子亲和力大于激励层电的电子亲和力以及所具有的电离能大致等于导电层的电离能。

14.根据权利要求13所述的光电器件，其特征在于，所述第一阻隔层的电子亲和力小于第二阻隔层的电子亲和力以及第一阻隔层的电离能小于第二阻隔层的电离能。

15.根据权利要求12或13所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为发光器件，例如发光二极管或激光器。

16.根据权利要求9、13或14所述的光电器件，其特征在于，所述第一和/或第二阻隔层为非掺杂半导体或绝缘层。