[发明专利]封装衬底中具有集成无源器件的集成数字和射频片上系统器件及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片设备，包括：

片上系统（SoC）电子器件，包括：

其半导体数字处理器部分；

其半导体射频集成电路（RFIC）部分，并且其中所述半导体数字处理器部分和所述半导体RFIC部分形成DP-RFIC器件；以及

耦合到所述RFIC部分的前端模块无源器件；以及

封装衬底，所述DP-RFIC器件安装在所述封装衬底上，其中所述前端模块无源器件的至少一个电感器通过所述封装衬底耦合到所述RFIC部分。

2.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述SoC电子器件还包括与所述半导体数字处理器部分相邻设置的图形处理器部分。

3.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器混合于将所述RFIC耦合到所述封装衬底的金属化部中。

4.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器混合于将所述RFIC耦合到所述封装衬底的金属化部中，并且还设置于所述封装衬底中。

5.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器限于所述DP-RFIC和所述封装衬底之间的电凸起连接器。

6.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括所述DP-RFIC和所述封装衬底之间的电凸起连接器。

7.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括所述DP-RFIC和所述封装衬底之间的电凸起连接器，并且其中所述至少一个电感器包括混合于将所述RFIC耦合到所述封装衬底的金属化部中的结构。

8.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括所述封装衬底中的堆叠通孔结构，并且其中所述至少一个电感器包括混合于将所述RFIC耦合到所述封装衬底的金属化部中的结构。

9.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括所述DP-RFIC和所述封装衬底之间的电凸起连接器，其中所述至少一个电感器包括混合于将所述RFIC耦合到所述封装衬底的金属化部中的结构，并且其中所述至少一个电感器包括所述封装衬底中的堆叠通孔结构。

10.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括所述封装衬底中的堆叠通孔结构。

11.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感线圈是单个环路，所述单个环路在所述单个环路中结合了两个通孔堆叠体，其中所述通孔堆叠体在所述封装衬底中。

12.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器是包括至少三个与所述环路一体的堆叠结构的环路。

13.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括依次耦合以形成环路的六个通孔堆叠体结构。

14.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器包括六个通孔堆叠体结构，其中每个通孔堆叠体结构都与相应的六个电凸起接触，并且其中所述六个通孔堆叠体中的每一个和电凸起依次耦合以形成环路。

15.根据权利要求1所述的芯片设备，其中所述至少一个电感器是与所述封装衬底一体的，并且包括：

所述封装衬底的第一级处的第一线圈，其中所述第一线圈包括第一外金属焊盘和第一内金属焊盘；

中心通孔，与所述第一级和所述第一内金属焊盘处的所述第一线圈接触；

所述封装衬底的第二级处的第二线圈，其中所述第二线圈包括第二外金属焊盘和与所述中心通孔接触的第二内金属焊盘；以及

其中所述至少一个电感器开始于所述第一外金属焊盘并且结束于所述第二外金属焊盘。