[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

半导体层，形成在基板上；

栅极绝缘层，形成在包括所述半导体层的基板上；

栅电极，形成在所述半导体层上方的所述栅极绝缘层上；

源电极和漏电极，连接到所述半导体层；以及

3.5至4.5个突起，提供在与所述栅电极交叠的半导体层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层由多晶硅制成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述突起按规则间隔布置。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述突起之间的规则间隔在2μm至3μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述突起以带形形成在所述半导体层的表面上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述突起被布置为垂直于所述半导体层的纵向。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层通过连续侧向结晶被结晶，并且所述突起通过所述结晶来形成。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：绝缘层，形成在包括所述栅电极的栅极绝缘层上；

其中所述源电极和所述漏电极通过形成在所述绝缘层和所述栅极绝缘层中的接触孔连接到所述半导体层。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：缓冲层，形成在所述基板与所述半导体层之间。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极被分成两个栅电极，所述半导体层与这两个栅电极交叠，并且包括3.5至4.5个突起。

11.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

在基板上形成非晶半导体层；

使所述非晶半导体层结晶；

在通过结晶步骤形成有突起的所述非晶半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极；以及

形成连接到所述非晶半导体层的源电极和漏电极；

其中所述栅电极与3.5至4.5个突起交叠。

12.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述非晶半导体层由非晶硅制成。

13.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中使所述非晶半导体层结晶通过连续侧向结晶来实现。

14.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述突起按规则间隔布置。

15.根据权利要求14所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述突起之间的规则间隔在2μm至3μm的范围内。

16.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述突起以带形形成在所述非晶半导体层的表面上。

17.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中所述突起被布置为垂直于所述非晶半导体层的纵向。

18.根据权利要求11的制造薄膜晶体管的方法，进一步包括：

在包括所述栅电极的栅极绝缘层上形成绝缘层；以及

通过图案化所述绝缘层和所述栅极绝缘层形成接触孔以暴露所述非晶半导体层；

其中所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔连接到所述非晶半导体层。

19.一种显示设备，包括：

第一基板，薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的第一电极形成在所述第一基板上；

第二基板，第二电极形成在所述第二基板上；以及

液晶层，注入所述第一电极和所述第二电极之间的密封空间中；

其中所述薄膜晶体管包括：

半导体层，形成在所述第一基板上；

栅极绝缘层，形成在包括所述半导体层的所述第一基板上；

栅电极，形成在所述半导体层上方的所述栅极绝缘层上；

源电极和漏电极，连接到所述半导体层；以及

3.5至4.5个突起，形成在与所述栅电极交叠的所述半导体层上。

20.根据权利要求19所述的显示设备，进一步包括：形成在所述第一基板上的栅极线和数据线，其中像素由所述栅极线和所述数据线来限定。

21.根据权利要求19所述的显示设备，其中所述半导体层由多晶硅制成。